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電池管理系統(BMS)進行冗余監測極低的Qrr品質因數

發布時間:2021/9/20 12:11:25 訪問次數:639

NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr,80 V和100 V MOSFET。新生產線將立即擴大Nexperia的產能,新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on) x Qrr)。

鑒于全球半導體短缺的情況下,Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產能,包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產設備,這對買方來講一個好消息。

這些MOSFET非常適合各種開關應用,也可以替代其他供應商的產品。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 16位微控制器 - MCU

RoHS:  詳細信息

系列: MSP430G2303

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-28

核心: MSP430

程序存儲器大小: 4 kB

數據總線寬度: 16 bit

ADC分辨率: 10 bit

最大時鐘頻率: 16 MHz

輸入/輸出端數量: 24 I/O

數據 RAM 大小: 256 B

工作電源電壓: 1.8 V to 3.6 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標: Texas Instruments

計時器/計數器數量: 2 Timer

處理器系列: 2 Series

產品類型: 16-bit Microcontrollers - MCU

工廠包裝數量: 2000

子類別: Microcontrollers - MCU

商標名: MSP430

看門狗計時器: No Watchdog Timer

單位重量: 403 mg


MLX91218 和 MLX91219符合 AEC Q100級標準,具有高線性度,滿量程誤差不超過 ±0.3%,為管理電機控制,逆變器和轉換器等高速應用提供了更高的精度,還可以對電池管理系統(BMS)進行冗余監測。

這兩款傳感器芯片通過熱漂移最小化,將電壓偏移控制在 +/-5mV 以內,靈敏度控制在 +/-1% 以內,可確保在寬溫度范圍內的精度。

NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on),前一代100 V器件為7 mΩ,而新器件只有4.3 mΩ,效率大大提高。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr,80 V和100 V MOSFET。新生產線將立即擴大Nexperia的產能,新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on) x Qrr)。

鑒于全球半導體短缺的情況下,Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產能,包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產設備,這對買方來講一個好消息。

這些MOSFET非常適合各種開關應用,也可以替代其他供應商的產品。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 16位微控制器 - MCU

RoHS:  詳細信息

系列: MSP430G2303

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-28

核心: MSP430

程序存儲器大小: 4 kB

數據總線寬度: 16 bit

ADC分辨率: 10 bit

最大時鐘頻率: 16 MHz

輸入/輸出端數量: 24 I/O

數據 RAM 大小: 256 B

工作電源電壓: 1.8 V to 3.6 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標: Texas Instruments

計時器/計數器數量: 2 Timer

處理器系列: 2 Series

產品類型: 16-bit Microcontrollers - MCU

工廠包裝數量: 2000

子類別: Microcontrollers - MCU

商標名: MSP430

看門狗計時器: No Watchdog Timer

單位重量: 403 mg


MLX91218 和 MLX91219符合 AEC Q100級標準,具有高線性度,滿量程誤差不超過 ±0.3%,為管理電機控制,逆變器和轉換器等高速應用提供了更高的精度,還可以對電池管理系統(BMS)進行冗余監測。

這兩款傳感器芯片通過熱漂移最小化,將電壓偏移控制在 +/-5mV 以內,靈敏度控制在 +/-1% 以內,可確保在寬溫度范圍內的精度。

NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on),前一代100 V器件為7 mΩ,而新器件只有4.3 mΩ,效率大大提高。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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