電池管理系統(BMS)進行冗余監測極低的Qrr品質因數
發布時間:2021/9/20 12:11:25 訪問次數:639
NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr,80 V和100 V MOSFET。新生產線將立即擴大Nexperia的產能,新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on) x Qrr)。
鑒于全球半導體短缺的情況下,Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產能,包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產設備,這對買方來講一個好消息。
這些MOSFET非常適合各種開關應用,也可以替代其他供應商的產品。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 16位微控制器 - MCU
RoHS: 詳細信息
系列: MSP430G2303
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-28
核心: MSP430
程序存儲器大小: 4 kB
數據總線寬度: 16 bit
ADC分辨率: 10 bit
最大時鐘頻率: 16 MHz
輸入/輸出端數量: 24 I/O
數據 RAM 大小: 256 B
工作電源電壓: 1.8 V to 3.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Texas Instruments
計時器/計數器數量: 2 Timer
處理器系列: 2 Series
產品類型: 16-bit Microcontrollers - MCU
工廠包裝數量: 2000
子類別: Microcontrollers - MCU
商標名: MSP430
看門狗計時器: No Watchdog Timer
單位重量: 403 mg
MLX91218 和 MLX91219符合 AEC Q100級標準,具有高線性度,滿量程誤差不超過 ±0.3%,為管理電機控制,逆變器和轉換器等高速應用提供了更高的精度,還可以對電池管理系統(BMS)進行冗余監測。
這兩款傳感器芯片通過熱漂移最小化,將電壓偏移控制在 +/-5mV 以內,靈敏度控制在 +/-1% 以內,可確保在寬溫度范圍內的精度。
NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on),前一代100 V器件為7 mΩ,而新器件只有4.3 mΩ,效率大大提高。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr,80 V和100 V MOSFET。新生產線將立即擴大Nexperia的產能,新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on) x Qrr)。
鑒于全球半導體短缺的情況下,Nexperia積極投資全球制造工廠以提高產能,包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產設備,這對買方來講一個好消息。
這些MOSFET非常適合各種開關應用,也可以替代其他供應商的產品。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 16位微控制器 - MCU
RoHS: 詳細信息
系列: MSP430G2303
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-28
核心: MSP430
程序存儲器大小: 4 kB
數據總線寬度: 16 bit
ADC分辨率: 10 bit
最大時鐘頻率: 16 MHz
輸入/輸出端數量: 24 I/O
數據 RAM 大小: 256 B
工作電源電壓: 1.8 V to 3.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Texas Instruments
計時器/計數器數量: 2 Timer
處理器系列: 2 Series
產品類型: 16-bit Microcontrollers - MCU
工廠包裝數量: 2000
子類別: Microcontrollers - MCU
商標名: MSP430
看門狗計時器: No Watchdog Timer
單位重量: 403 mg
MLX91218 和 MLX91219符合 AEC Q100級標準,具有高線性度,滿量程誤差不超過 ±0.3%,為管理電機控制,逆變器和轉換器等高速應用提供了更高的精度,還可以對電池管理系統(BMS)進行冗余監測。
這兩款傳感器芯片通過熱漂移最小化,將電壓偏移控制在 +/-5mV 以內,靈敏度控制在 +/-1% 以內,可確保在寬溫度范圍內的精度。
NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on),前一代100 V器件為7 mΩ,而新器件只有4.3 mΩ,效率大大提高。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)