800VH系列可控硅滿足單個器件進行反相和同相柵極驅動要求
發布時間:2021/9/21 6:17:47 訪問次數:763
800VH系列可控硅，其在最大額定輸出電流時最高結溫達到150°C，因此可以將交流負載驅動器的散熱器尺寸縮減多達50％，開發緊湊尺寸與高可靠性兼備的交流驅動器。
新的800V H系列可控硅適用于工業制造設備、個人護理產品、智能家居產品和智能建筑系統，利用意法半導體最新的Snubberless™高溫技術實現了出色的耐用性。
低導通電壓(VTM)確保開關具有較高的工作能效，并最大程度地降低器件本身的自發熱量，具有很低的漏電流，并能夠長時間保持低漏電流，從而降低了待機電能損耗。
制造商:Nexperia 產品種類:肖特基二極管與整流器 RoHS: 詳細信息 產品:Schottky Rectifiers 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123F-2 配置:Single 技術:Si If - 正向電流:1 A Vrrm - 重復反向電壓:40 V Vf - 正向電壓:570 mV Ifsm - 正向浪涌電流:9 A Ir - 反向電流 :50 uA 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Nexperia 高度:1.2 mm 長度:3.6 mm Pd-功率耗散:830 mW 產品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 工廠包裝數量:3000 子類別:Diodes & Rectifiers 類型:Schottky Diode 寬度:1.7 mm 零件號別名:934061055115 單位重量:10 mg
兩款650V半橋評估板（30 A和60 A），用于評估氮化鎵（GaN）驅動器和GaN晶體管在各種應用中的性能。該公司聲稱，這些子板是業界首款可提供具有可調閾值和可編程源電流，帶有過流保護功能，以實現可調節的導通壓擺率。
子板具有兩種功率級別：最高3 kW（GS-EVB-HB-66508B-RN）和最高6 kW（GS-EVB-HB-66516T-RN），并包含瑞薩電子RAA226110低側GaN FET驅動器具有可編程的源電流和可調的過流保護。
該器件同時提供反相(INB)和同相(IN)輸入,可滿足使用單個器件進行反相和同相柵極驅動的要求。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
800VH系列可控硅，其在最大額定輸出電流時最高結溫達到150°C，因此可以將交流負載驅動器的散熱器尺寸縮減多達50％，開發緊湊尺寸與高可靠性兼備的交流驅動器。
新的800V H系列可控硅適用于工業制造設備、個人護理產品、智能家居產品和智能建筑系統，利用意法半導體最新的Snubberless™高溫技術實現了出色的耐用性。
低導通電壓(VTM)確保開關具有較高的工作能效，并最大程度地降低器件本身的自發熱量，具有很低的漏電流，并能夠長時間保持低漏電流，從而降低了待機電能損耗。
制造商:Nexperia 產品種類:肖特基二極管與整流器 RoHS: 詳細信息 產品:Schottky Rectifiers 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123F-2 配置:Single 技術:Si If - 正向電流:1 A Vrrm - 重復反向電壓:40 V Vf - 正向電壓:570 mV Ifsm - 正向浪涌電流:9 A Ir - 反向電流 :50 uA 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Nexperia 高度:1.2 mm 長度:3.6 mm Pd-功率耗散:830 mW 產品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 工廠包裝數量:3000 子類別:Diodes & Rectifiers 類型:Schottky Diode 寬度:1.7 mm 零件號別名:934061055115 單位重量:10 mg
兩款650V半橋評估板（30 A和60 A），用于評估氮化鎵（GaN）驅動器和GaN晶體管在各種應用中的性能。該公司聲稱，這些子板是業界首款可提供具有可調閾值和可編程源電流，帶有過流保護功能，以實現可調節的導通壓擺率。
子板具有兩種功率級別：最高3 kW（GS-EVB-HB-66508B-RN）和最高6 kW（GS-EVB-HB-66516T-RN），并包含瑞薩電子RAA226110低側GaN FET驅動器具有可編程的源電流和可調的過流保護。
該器件同時提供反相(INB)和同相(IN)輸入,可滿足使用單個器件進行反相和同相柵極驅動的要求。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
- 11-22新一代5G-A模組RG650V-NA結構技術參數應用及需求分析
- 11-22電池儲能系統 (BESS)結構設計及解決方案
- 11-22全新高脈沖制動電阻系列參數技術應用設計
- 11-22Telcordia GR-468 CORE測試應用全
- 11-22DSP（數字信號處理器）系列介紹
- 11-22AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢
公網安備44030402000607
