TPS54350集成了高邊的MOSFET和可選擇的低邊外接MOSFET的柵極驅動器.器件還有高性能的電壓誤差放大器,它能在瞬變狀態下最大化器件的性能以及在選擇輸出濾波器電感和電容的靈活性.

開關頻率可以是固定的250kHz或500kHz或可調至700kHz,以降低無源元件的尺寸.

該產品在6mm × 6mm的40引腳芯片中集成了四個由I2C控制的150mA LED背光驅動器以及一個四輸出薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD) 偏置電源，可幫助工程師設計出空間占用更小的汽車儀表板、中控屏和導航顯示器。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導通電阻: 5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

配置: Single

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 22 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 23 ns

工廠包裝數量: 500

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 75 ns

典型接通延遲時間: 19 ns

零件號別名: SP000219067 IPP80N06S2LH5AKSA1

單位重量: 2 g

集成的10Gbps RocketIO X收發器包括可選擇的8B/10B或64B/66B編碼,20位或16位數據通路,以及20x或16x時鐘.

嵌入了8或20通道高性能RocketIO X串行收發器,每通道工作從2.488到10.3125Gbps;20X和16X時鐘和數據通路;8B/10B或64B/66B編碼;SONETOC-48 抖動兼容.

它還有通道連接,幾種有調諧特性的性能,包括有預補償電路,接收器均衡,差分電壓擺幅和片內終止.RocketIO X收發器能適應系統的要求,能通過內部配置端口動態地編程.

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）