SDH鏈路接入程序(LAPS)和SONET上數據包(PoS)的功能
發布時間:2021/10/10 21:05:20 訪問次數:489
VSC9118/VSC9115還具有通用成幀程序(GFP)，SDH鏈路接入程序(LAPS)和SONET上數據包(PoS)的功能，能把以太網和SAN數據通信量變換到OC-48/OC-192 SONET/SDH網絡。
器件支持高達64個邏輯通道(STS-1/VC-3 到STS-192c/VC4-64c)，提供兩級指示器發生和中斷，用于VC到AU-4的SDH變換。
該器件的線路邊和系統邊分別有OIF SFI-4和OIF SPI-4.2接口，以便和光收發器或物理層元件無縫地連接。它還支持系統包接口如網絡處理器(NP)和媒體接入控制器(MAC)。
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 24 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 25 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 98 ns
典型接通延遲時間: 18 ns
零件號別名: SP000219003 IPB100N06S2L05ATMA1
單位重量: 4 g
一種新的封裝TESQ，比標準的4引腳SOT-343表面安裝封裝還小34%，使用在手機，無線PDA和無線局域網(WLAN)的低噪音放大器(LNA)和壓控振蕩器有更高的增益。
東芝的低噪音MT4S100T和高增益MT4S101T晶體管的TESQ封裝，尺寸只有1.2mm x 1.2mmx0.52mm。MT4S101T很理想地用在WLAN中5.2GHz LNA。
鍺硅技術由于結合了硅和鍺的電特性，因而有很低的噪音和高增益。這類鍺硅器件有低功耗的特性，很適合用在移動和無線電話以及PDA。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
VSC9118/VSC9115還具有通用成幀程序(GFP)，SDH鏈路接入程序(LAPS)和SONET上數據包(PoS)的功能，能把以太網和SAN數據通信量變換到OC-48/OC-192 SONET/SDH網絡。
器件支持高達64個邏輯通道(STS-1/VC-3 到STS-192c/VC4-64c)，提供兩級指示器發生和中斷，用于VC到AU-4的SDH變換。
該器件的線路邊和系統邊分別有OIF SFI-4和OIF SPI-4.2接口，以便和光收發器或物理層元件無縫地連接。它還支持系統包接口如網絡處理器(NP)和媒體接入控制器(MAC)。
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 24 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 25 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 98 ns
典型接通延遲時間: 18 ns
零件號別名: SP000219003 IPB100N06S2L05ATMA1
單位重量: 4 g
一種新的封裝TESQ，比標準的4引腳SOT-343表面安裝封裝還小34%，使用在手機，無線PDA和無線局域網(WLAN)的低噪音放大器(LNA)和壓控振蕩器有更高的增益。
東芝的低噪音MT4S100T和高增益MT4S101T晶體管的TESQ封裝，尺寸只有1.2mm x 1.2mmx0.52mm。MT4S101T很理想地用在WLAN中5.2GHz LNA。
鍺硅技術由于結合了硅和鍺的電特性，因而有很低的噪音和高增益。這類鍺硅器件有低功耗的特性，很適合用在移動和無線電話以及PDA。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
- 11-22新一代5G-A模組RG650V-NA結構技術參數應用及需求分析
- 11-22電池儲能系統 (BESS)結構設計及解決方案
- 11-22全新高脈沖制動電阻系列參數技術應用設計
- 11-22Telcordia GR-468 CORE測試應用全
- 11-22DSP（數字信號處理器）系列介紹
- 11-22AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢
公網安備44030402000607
