高低邊輸出信號傳播延遲相同能夠驅動GaN增強型FET高頻開關
發布時間:2021/10/12 13:02:24 訪問次數:410
Microchip將繼續設計和開發專用解決方案，幫助設計人員解決開發溫度敏感應用時所遇到的問題。
兩款新傳感器在某特定溫度轉換范圍內的工作電流 (典型電流為250 uA) 可達業界最低水平。其超低功率關斷模式(典型電流為1微安) 有助于設計人員延長便攜式電子產品的電池壽命。
TC72可讀出零下55 度到零上125度的溫度，工作電壓范圍從2.65到5.5伏。
至于TC77則提供最高分辨率(每比特0.0625度) 有助于系統快速檢測關鍵熱量狀況，從而進行精確的溫度測量。
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 17 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 46 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
零件號別名: IPB1N4S33XT SP000260847 IPB100N04S303ATMA1
單位重量: 4 g
STDRIVEG600半橋柵極驅動器輸出電流大，高低邊輸出信號傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅動 GaN 增強型 FET 高頻開關。
STDRIVEG600 的驅動電源電壓高達 20V，還適用于驅動 N 溝道硅基 MOSFET管，在驅動 GaN 器件時，可以靈活地施加 6V 柵極-源極電壓 (VGS)，確保導通電阻 Rds(on)保持在較低水平。
自舉電路使用同步整流 MOSFET開關管，使自舉電壓達到VCC邏輯電源電壓值，從而讓驅動器只使用一個電源，而無需低壓降穩壓器 (LDO)。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
Microchip將繼續設計和開發專用解決方案，幫助設計人員解決開發溫度敏感應用時所遇到的問題。
兩款新傳感器在某特定溫度轉換范圍內的工作電流 (典型電流為250 uA) 可達業界最低水平。其超低功率關斷模式(典型電流為1微安) 有助于設計人員延長便攜式電子產品的電池壽命。
TC72可讀出零下55 度到零上125度的溫度，工作電壓范圍從2.65到5.5伏。
至于TC77則提供最高分辨率(每比特0.0625度) 有助于系統快速檢測關鍵熱量狀況，從而進行精確的溫度測量。
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 17 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 46 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
零件號別名: IPB1N4S33XT SP000260847 IPB100N04S303ATMA1
單位重量: 4 g
STDRIVEG600半橋柵極驅動器輸出電流大，高低邊輸出信號傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅動 GaN 增強型 FET 高頻開關。
STDRIVEG600 的驅動電源電壓高達 20V，還適用于驅動 N 溝道硅基 MOSFET管，在驅動 GaN 器件時，可以靈活地施加 6V 柵極-源極電壓 (VGS)，確保導通電阻 Rds(on)保持在較低水平。
自舉電路使用同步整流 MOSFET開關管，使自舉電壓達到VCC邏輯電源電壓值，從而讓驅動器只使用一個電源，而無需低壓降穩壓器 (LDO)。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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