晶體管的速度主要由電子通過晶體管的快慢來決定。這取決于制造晶體管的半導體材料和電子必須通過的距離。絕大多數標準晶體管所用的材料是硅。

1989年，IBM在硅中摻入鍺，加快電子的流動，改善了性能和降低了功耗。

IBM把SiGe材料和改進的晶體管設計結合起來，能縮短電子的通路，提高器件的速度，得到了新的結果。在標準的CMOS晶體管，電子是水平移動的，縮短通路需要把晶體管做得更窄。

由于需要新的制造工具，這又增加了難度和成本。

制造商:Vishay 產品種類:肖特基二極管與整流器 產品:Schottky Diodes 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:DO-201AD-2 配置:Single 技術:Si If - 正向電流:3 A Vrrm - 重復反向電壓:40 V Vf - 正向電壓:490 mV Ifsm - 正向浪涌電流:120 A Ir - 反向電流 :500 uA 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Ammo Pack 高度:5.3 mm 長度:9.5 mm 類型:Schottky Diode 寬度:5.3 mm 商標:Vishay General Semiconductor 產品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 工廠包裝數量7500 子類別:Diodes & Rectifiers 零件號別名:MBR340 單位重量:1.100 g

功率是由48V DC電源中心提供，通過LPT-11鏈接功率接口模塊耦合到網絡線。

LPT-11收發器集成了開關電源，它能提供5VDC給神經元芯片，應用電子學，傳感器，激勵器和顯示器加電。每個收發器能提供5VDC 100mA。

實現了與標準產品相當的低電阻，樹脂層僅覆蓋端子電極的一部分.

新3216尺寸產品（3.2 x 1.6 x 1.6 ㎜）的電容為10 μF，3225尺寸（3.2 x 2.5 x 2.5 ㎜）的電容為22 ㎌，提供了低電阻樹脂電極，具有與標準產品相當的低端子電阻。

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