差分輸入端和高速CMOS傳感器接口帶有Kelvin驅動源引腳
發布時間:2021/10/12 13:13:36 訪問次數:200
AD9821能替代用幾個IC來完成的基于元件的解決方案,它能提供把單片CMOS圖像傳感器的信號數字化所需的所有功能。
AD9821有12位40 MSPS(百萬次取樣/秒)的ADC,通過差分傳感器輸入端和高速CMOS傳感器接口。它有低噪音光學黑體鉗位,0-36dB的10位可編增益放大器。
AD9845B是業界最高性能的12位30 MSPS AFE,用于高速高分辨率CCD圖像應用如科學和工業圖像以及數碼靜止相機和攝像機。
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 90 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Qg-柵極電荷: 99 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 70 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
零件號別名: IPB9N6S44XT SP000379632 IPB90N06S404ATMA1
單位重量: 4 g
互鎖保護可以避免開關管交叉導通.保護功能包括過熱保護,省電關閉功能專用引腳。
STDRIVEG600 適用于高壓 PFC、DC/DC 和 DC/AC 變換器、開關電源、UPS 電源系統、太陽能發電,以及家用電器、工廠自動化和工業驅動設備的電機驅動控制等應用。
驅動器有兩款配套開發板,幫助設計人員快速啟動新項目.
其中,EVSTDRIVEG600DG 板載一個 150mΩ 650V GaN HEMT晶體管,晶體管采用 5mm x 6mm PowerFLAT 封裝,帶有Kelvin驅動源引腳.
AD9821能替代用幾個IC來完成的基于元件的解決方案,它能提供把單片CMOS圖像傳感器的信號數字化所需的所有功能。
AD9821有12位40 MSPS(百萬次取樣/秒)的ADC,通過差分傳感器輸入端和高速CMOS傳感器接口。它有低噪音光學黑體鉗位,0-36dB的10位可編增益放大器。
AD9845B是業界最高性能的12位30 MSPS AFE,用于高速高分辨率CCD圖像應用如科學和工業圖像以及數碼靜止相機和攝像機。
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 90 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Qg-柵極電荷: 99 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 70 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
零件號別名: IPB9N6S44XT SP000379632 IPB90N06S404ATMA1
單位重量: 4 g
互鎖保護可以避免開關管交叉導通.保護功能包括過熱保護,省電關閉功能專用引腳。
STDRIVEG600 適用于高壓 PFC、DC/DC 和 DC/AC 變換器、開關電源、UPS 電源系統、太陽能發電,以及家用電器、工廠自動化和工業驅動設備的電機驅動控制等應用。
驅動器有兩款配套開發板,幫助設計人員快速啟動新項目.
其中,EVSTDRIVEG600DG 板載一個 150mΩ 650V GaN HEMT晶體管,晶體管采用 5mm x 6mm PowerFLAT 封裝,帶有Kelvin驅動源引腳.