新型ELCRES™ HTV150電容薄膜，該產品專門針對高溫高壓的專業級電容器應用而開發，例如：用于混動、插電式混動和純電動汽車（xEV）的牽引逆變器。

這一創新型解決方案填補了現有電容薄膜在 135-150°C工作溫度范圍內的重大性能差距，并可充分發揮碳化硅（SiC）逆變器技術的功率和里程優勢。

此外，公司還將重點介紹其在整個價值鏈上開展的協作，旨在通過這種電容薄膜支持電容器生產并提升其性能。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導通電阻: 6.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Qg-柵極電荷: 58 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 79 W

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 8 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 3 ns

工廠包裝數量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 50 ns

典型接通延遲時間: 10 ns

零件號別名: SP000415572 IPB8N6S4L7XT IPB80N06S4L07ATMA1

單位重量: 4 g

1Gbps DDR-I SDRAM存儲器給它的主要客戶，支持下一代圖像處理芯片組。

這種高速DDR-I SDRAM 產品，是業界第一個速度為500MHz（1Gbps）,32位寬I/O口和144針FBGA封裝的產品。它支持臺式計算機，工作站圖像，交換和路由器的高速度應用。

這種新產品是DDR-I產品線中速度最高的，和DDR-I板兼容。Hynix公司預測，速度，兼容性和估計成本都比DDR-II好10%，很快會被圖像和網絡產業所接受。

在盡可能低的價格提供最高的性能，是區分終端產品的關鍵。500MHz的DDR-I能做到這一點。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）