兩種GaAs FET的IM3性能為-45dBc功率附加效率(PAE)為50%
發布時間:2021/10/16 21:44:33 訪問次數:232
MGF0951P的IP3性能為42dBm，MGF0952P則為47.5dBm。此外，新型MGF095XP系列的兩種GaAs FET的IM3性能為-45dBc，功率附加效率(PAE)為50%。
新的芯片組技術，用于全新的智能的個性化，容易使用，連接消費電子產品。
Microsoft的智能型個人實體技術(SPOT)設計成能給用戶在他們通常所用的物品如手表之類提供個性化信息。National 半導體公司的完整解決方案包括基帶處理和無線頻率功能，是新型SPOT使能器件的主要技術。
制造商:Texas Instruments產品種類:RS-485接口ICRoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VSSOP-8系列:功能:Transceiver數據速率:20 Mb/s激勵器數量:1 Driver接收機數量:1 Receiver雙工:Half Duplex電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:3 V工作電源電流:950 uA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 CESD 保護:ESD Protection封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Texas Instruments 工作電源電壓:3.3 V 輸出電流:160 mA 輸出類型:Differential 輸出電壓:2 V Pd-功率耗散:160 mW 產品:RS-485 Transceivers 產品類型:RS-485 Interface IC 關閉:No Shutdown 2500 子類別:Interface ICs 單位重量:20 mg
DA914X-A PMIC系列產品為汽車客戶提供了市場領先的大電流供電解決方案，很好地滿足了具有嵌入式高性能圖形或AI處理器內核的多核汽車SoC的需求。
這使得該產品系列非常適合為下一代自動駕駛汽車機器學習和視覺應用中圖形或AI嵌入式處理器供電。
DA914X-A系列目前包括兩個器件。DA9141-A是單通道、四相降壓轉換器，可提供最高40A的輸出電流。DA9142-A是單通道、雙相降壓轉換器，可提供最高20A的輸出電流。
所有器件的輸入電壓范圍2.8 V至5.5 V，輸出電壓范圍為0.3 V至1.3 V，因此適用于各種低功耗系統。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
MGF0951P的IP3性能為42dBm，MGF0952P則為47.5dBm。此外，新型MGF095XP系列的兩種GaAs FET的IM3性能為-45dBc，功率附加效率(PAE)為50%。
新的芯片組技術，用于全新的智能的個性化，容易使用，連接消費電子產品。
Microsoft的智能型個人實體技術(SPOT)設計成能給用戶在他們通常所用的物品如手表之類提供個性化信息。National 半導體公司的完整解決方案包括基帶處理和無線頻率功能，是新型SPOT使能器件的主要技術。
制造商:Texas Instruments產品種類:RS-485接口ICRoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VSSOP-8系列:功能:Transceiver數據速率:20 Mb/s激勵器數量:1 Driver接收機數量:1 Receiver雙工:Half Duplex電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:3 V工作電源電流:950 uA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 CESD 保護:ESD Protection封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Texas Instruments 工作電源電壓:3.3 V 輸出電流:160 mA 輸出類型:Differential 輸出電壓:2 V Pd-功率耗散:160 mW 產品:RS-485 Transceivers 產品類型:RS-485 Interface IC 關閉:No Shutdown 2500 子類別:Interface ICs 單位重量:20 mg
DA914X-A PMIC系列產品為汽車客戶提供了市場領先的大電流供電解決方案，很好地滿足了具有嵌入式高性能圖形或AI處理器內核的多核汽車SoC的需求。
這使得該產品系列非常適合為下一代自動駕駛汽車機器學習和視覺應用中圖形或AI嵌入式處理器供電。
DA914X-A系列目前包括兩個器件。DA9141-A是單通道、四相降壓轉換器，可提供最高40A的輸出電流。DA9142-A是單通道、雙相降壓轉換器，可提供最高20A的輸出電流。
所有器件的輸入電壓范圍2.8 V至5.5 V，輸出電壓范圍為0.3 V至1.3 V，因此適用于各種低功耗系統。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-25全新 Riedon高功率厚膜電阻 PFS35 系列
- 11-25業界首款300mm（12英寸）碳化硅襯底
- 11-253Dblox技術A16 1.6nm工藝簡述
- 11-25快速開關場效應晶體管優勢及關鍵技術
- 11-25精密分流電阻器和電流觀察電阻器（CVR）優特點
- 11-25新型IsoVu隔離電流探頭應用詳情
- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
公網安備44030402000607
