內部電流感應高電壓SenseFET在設計過程中任意節點信號
發布時間:2021/10/9 12:32:52 訪問次數:342
R&S VSESIM-VSS受益于R&S公司用于測試工作電路、模塊和設備的兩個成熟軟件，即 R&S WinIQSIM2軟件的信號生成功能和 R&S VSE 軟件的信號分析功能。
R&S公司的數據采集插件允許在設計過程中訪問任意節點信號，可以將信號送至矢量信號發生器并應用于可用硬件，從而實現對混合硬件/仿真實現的系統級分析。
R&S VSESIM-VSS 的一項重要特色是支持直接數字預失真 (DPD) 技術，在功率放大器開發的仿真階段就可以驗證線性化效果。
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.58 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 134 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 158 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 30 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 30 ns
典型接通延遲時間: 27 ns
零件號別名: IPB12N4S42XT SP000764726 IPB120N04S402ATMA1
單位重量: 4 g
基于FS8S0765RC的設計不僅享有優于離散式MOSFET/控制器或RCC開關轉換器解決方案的性能，還具有占用更少電路板空間，及采用各種保護電路達到更高可靠性的優勢。
FS8S0765RC的內部特性包括過電壓、過負載、過電流和過熱關閉保護。
其內部電流感應高電壓SenseFET提供650V最小擊穿額定電壓。FS8S0765RC采用節省空間的TO-220-5L封裝。
器件在待機模式下(低于2W@265Vac)可進入間歇工作模式，并通過減小開關損耗，大幅度降低功耗。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
R&S VSESIM-VSS受益于R&S公司用于測試工作電路、模塊和設備的兩個成熟軟件，即 R&S WinIQSIM2軟件的信號生成功能和 R&S VSE 軟件的信號分析功能。
R&S公司的數據采集插件允許在設計過程中訪問任意節點信號，可以將信號送至矢量信號發生器并應用于可用硬件，從而實現對混合硬件/仿真實現的系統級分析。
R&S VSESIM-VSS 的一項重要特色是支持直接數字預失真 (DPD) 技術，在功率放大器開發的仿真階段就可以驗證線性化效果。
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.58 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 134 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 158 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 30 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 30 ns
典型接通延遲時間: 27 ns
零件號別名: IPB12N4S42XT SP000764726 IPB120N04S402ATMA1
單位重量: 4 g
基于FS8S0765RC的設計不僅享有優于離散式MOSFET/控制器或RCC開關轉換器解決方案的性能，還具有占用更少電路板空間，及采用各種保護電路達到更高可靠性的優勢。
FS8S0765RC的內部特性包括過電壓、過負載、過電流和過熱關閉保護。
其內部電流感應高電壓SenseFET提供650V最小擊穿額定電壓。FS8S0765RC采用節省空間的TO-220-5L封裝。
器件在待機模式下(低于2W@265Vac)可進入間歇工作模式，并通過減小開關損耗，大幅度降低功耗。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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