移動應用和用戶接口(MAUI)軟件能加速手機交貨UI參考設計
發布時間:2021/10/22 20:44:42 訪問次數:745
GSM/GPRS蜂窩系統平臺,內有用于建造更小更緊湊手機所需的硬件,軟件和開發工具,所需的IC只有三種.移動應用和用戶接口(MAUI)軟件是能加速手機交貨的UI參考設計。
設計者也能修改UI以創造自己的獨特產品。此外,平臺包括第三方應用軟件如WAP瀏覽器,MMS客戶,Java和帶有預見性的文本輸入。
通過向手機攝像頭提供照度和環境光頻閃信息,它可支持智能手機攝像頭的快速自動曝光,并可消除環境照明頻閃造成的波紋效果。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 差分放大器
RoHS: 詳細信息
系列: THS4561
通道數量: 1 Channel
GBP-增益帶寬產品: 68 MHz
SR - 轉換速率 : 325 V/μs
CMRR - 共模抑制比: 110 dB
Ib - 輸入偏流: 370 nA
Vos - 輸入偏置電壓 : 250 uV
電源電壓-最大: 12.6 V
電源電壓-最小: 2.85 V
工作電源電流: 775 uA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: QFN-10
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
0.1dB增益平坦度: 5 MHz
商標: Texas Instruments
開發套件: THS4561DGKEVM
en - 輸入電壓噪聲密度: 4 nV/vHz
增益V/V: 1 V/V
In—輸入噪聲電流密度: 4 nV/v Hz
輸入類型: Rail-to-Rail
Ios - 輸入偏置電流 : 2 nA
濕度敏感性: Yes
輸出類型: Rail-to-Rail
產品: Differential Amplifiers
產品類型: Differential Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 110 dB
穩定時間: 90 ns
關閉: Shutdown
工廠包裝數量: 3000
子類別: Amplifier ICs
1Gb單芯片NAND閃存芯片。兩個2Gb的芯片封在單一的TSOP封裝,便能生產出4Gb(512MB)的NAND元件。2Gb芯片是采用SanDisk的多級單元(MLC)和0.13um NAND閃存技術,由Toshiba 和SanDisk共同開發的。
新的1GB 單密度(SD)卡比前一代的產品多四倍。1GB SD卡能用來存儲高達30小時的數字壓縮音樂,超過320分鐘的MPEG-4壓縮視頻或多于1000個高分辨率的數字圖像。
該閃存卡有內置的內容保護權利管理功能,用于設備和卡之間的內容安全交換。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
GSM/GPRS蜂窩系統平臺,內有用于建造更小更緊湊手機所需的硬件,軟件和開發工具,所需的IC只有三種.移動應用和用戶接口(MAUI)軟件是能加速手機交貨的UI參考設計。
設計者也能修改UI以創造自己的獨特產品。此外,平臺包括第三方應用軟件如WAP瀏覽器,MMS客戶,Java和帶有預見性的文本輸入。
通過向手機攝像頭提供照度和環境光頻閃信息,它可支持智能手機攝像頭的快速自動曝光,并可消除環境照明頻閃造成的波紋效果。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 差分放大器
RoHS: 詳細信息
系列: THS4561
通道數量: 1 Channel
GBP-增益帶寬產品: 68 MHz
SR - 轉換速率 : 325 V/μs
CMRR - 共模抑制比: 110 dB
Ib - 輸入偏流: 370 nA
Vos - 輸入偏置電壓 : 250 uV
電源電壓-最大: 12.6 V
電源電壓-最小: 2.85 V
工作電源電流: 775 uA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: QFN-10
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
0.1dB增益平坦度: 5 MHz
商標: Texas Instruments
開發套件: THS4561DGKEVM
en - 輸入電壓噪聲密度: 4 nV/vHz
增益V/V: 1 V/V
In—輸入噪聲電流密度: 4 nV/v Hz
輸入類型: Rail-to-Rail
Ios - 輸入偏置電流 : 2 nA
濕度敏感性: Yes
輸出類型: Rail-to-Rail
產品: Differential Amplifiers
產品類型: Differential Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 110 dB
穩定時間: 90 ns
關閉: Shutdown
工廠包裝數量: 3000
子類別: Amplifier ICs
1Gb單芯片NAND閃存芯片。兩個2Gb的芯片封在單一的TSOP封裝,便能生產出4Gb(512MB)的NAND元件。2Gb芯片是采用SanDisk的多級單元(MLC)和0.13um NAND閃存技術,由Toshiba 和SanDisk共同開發的。
新的1GB 單密度(SD)卡比前一代的產品多四倍。1GB SD卡能用來存儲高達30小時的數字壓縮音樂,超過320分鐘的MPEG-4壓縮視頻或多于1000個高分辨率的數字圖像。
該閃存卡有內置的內容保護權利管理功能,用于設備和卡之間的內容安全交換。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)