將前端EMI濾波器的面積和體積分別縮減近50%和75%以上
發布時間:2023/12/25 13:04:21 訪問次數:9
在開關電源設計中，實現低EMI電源和小解決方案尺寸通常是相互矛盾的。
而LM25149-Q1和LM25149降壓控制器支持工程師滿足具有挑戰性的EMI標準，并通過減小無源EMI濾波器的面積和體積來縮減解決方案尺寸。
與同類解決方案相比，在440kHz頻率下，工程師最多可以將前端EMI濾波器的面積和體積分別縮減近50%和75%以上。通過減小無源元件的濾波負載，集成式AEF可減小無源元件的尺寸、體積和成本，從而使工程師實現尺寸更小的低EMI電源設計。
制造商:Texas Instruments產品種類:運算放大器 - 運放RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-5通道數量:1 Channel電源電壓-最大:5.5 VGBP-增益帶寬產品:1.5 MHz每個通道的輸出電流:100 mASR - 轉換速率 :420 mV/usVos - 輸入偏置電壓 :4 mV電源電壓-最小:1.8 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 CIb - 輸入偏流:35 nA工作電源電流:116 uA關閉:No ShutdownCMRR - 共模抑制比:86 dBen - 輸入電壓噪聲密度:50 nV/sqrt Hz系列:封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Texas Instruments特點:Small Size高度:1.02 mmIn—輸入噪聲電流密度:0.07 pA/sqrt Hz輸入類型:Rail-to-Rail長度:2.92 mm工作電源電壓:3 V輸出類型:Rail-to-Rail產品:Operational Amplifiers產品類型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 電源抑制比:70 dB3000子類別:Amplifier ICs電源類型:Single技術:BiCMOS電壓增益 dB:113 dB寬度:1.6 mm單位重量:6.300 mg
通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。
新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優異水平，可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。
日前發布的汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節省能源，同時增加功率密度提高輸出。
在開關電源設計中，實現低EMI電源和小解決方案尺寸通常是相互矛盾的。
而LM25149-Q1和LM25149降壓控制器支持工程師滿足具有挑戰性的EMI標準，并通過減小無源EMI濾波器的面積和體積來縮減解決方案尺寸。
與同類解決方案相比，在440kHz頻率下，工程師最多可以將前端EMI濾波器的面積和體積分別縮減近50%和75%以上。通過減小無源元件的濾波負載，集成式AEF可減小無源元件的尺寸、體積和成本，從而使工程師實現尺寸更小的低EMI電源設計。
制造商:Texas Instruments產品種類:運算放大器 - 運放RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-5通道數量:1 Channel電源電壓-最大:5.5 VGBP-增益帶寬產品:1.5 MHz每個通道的輸出電流:100 mASR - 轉換速率 :420 mV/usVos - 輸入偏置電壓 :4 mV電源電壓-最小:1.8 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 CIb - 輸入偏流:35 nA工作電源電流:116 uA關閉:No ShutdownCMRR - 共模抑制比:86 dBen - 輸入電壓噪聲密度:50 nV/sqrt Hz系列:封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Texas Instruments特點:Small Size高度:1.02 mmIn—輸入噪聲電流密度:0.07 pA/sqrt Hz輸入類型:Rail-to-Rail長度:2.92 mm工作電源電壓:3 V輸出類型:Rail-to-Rail產品:Operational Amplifiers產品類型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 電源抑制比:70 dB3000子類別:Amplifier ICs電源類型:Single技術:BiCMOS電壓增益 dB:113 dB寬度:1.6 mm單位重量:6.300 mg
通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。
新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優異水平，可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。
日前發布的汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節省能源，同時增加功率密度提高輸出。
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