高速分立元件(晶體管和二極管)40Gbps低功耗有線通信系統
發布時間:2021/10/30 22:57:25 訪問次數:567
高精度的片內2.5V的基準電壓源不需要外接基準電壓,能用軟件來配置成向外接器件提供100mV到3.5V的基準電壓。輸入可配置成單端,差分和假差分信號。
片內的可編次序器允許用戶通道取樣選擇,簡化了系統設計和編程。
ADC工作在單電源2.7-5.25V,在最高取樣頻率和5V時僅消耗16mW。AD739x多通道器件很適合用在基礎設備和通信方面以及高分辨率的控制回路。
八通道12位和10位分辨率的AD7938和AD7939是32引腳LFCSP封裝.
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 77 A
Rds On-漏源導通電阻: 11.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 158 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 26 ns
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 27 ns
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 34 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: IPB77N06S2-12 SP001061294
單位重量: 4 g
基于硅鍺的高頻集成電路破記錄地提升到110GHz的高度。
所測量的電路表明,其性能和其它供應商的同類產品相比,提高10-30%的工作頻率,使其能應用在高頻產品和高速通信系統。
從這種技術受益的將是高速分立元件(晶體管和二極管),40Gbps低功耗有線通信系統,高速微波無線鏈路,高達60GHz的超寬帶通信系統和77GHz汽車雷達系統。
Infineon公司根據它的SiGe:C雙極工藝,設計了幾種用于高速通信的主要功能塊,它的截止頻率大于200GHz,所演示的振蕩器門延遲時間為3.7ps。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
高精度的片內2.5V的基準電壓源不需要外接基準電壓,能用軟件來配置成向外接器件提供100mV到3.5V的基準電壓。輸入可配置成單端,差分和假差分信號。
片內的可編次序器允許用戶通道取樣選擇,簡化了系統設計和編程。
ADC工作在單電源2.7-5.25V,在最高取樣頻率和5V時僅消耗16mW。AD739x多通道器件很適合用在基礎設備和通信方面以及高分辨率的控制回路。
八通道12位和10位分辨率的AD7938和AD7939是32引腳LFCSP封裝.
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 77 A
Rds On-漏源導通電阻: 11.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 158 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 26 ns
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 27 ns
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 34 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: IPB77N06S2-12 SP001061294
單位重量: 4 g
基于硅鍺的高頻集成電路破記錄地提升到110GHz的高度。
所測量的電路表明,其性能和其它供應商的同類產品相比,提高10-30%的工作頻率,使其能應用在高頻產品和高速通信系統。
從這種技術受益的將是高速分立元件(晶體管和二極管),40Gbps低功耗有線通信系統,高速微波無線鏈路,高達60GHz的超寬帶通信系統和77GHz汽車雷達系統。
Infineon公司根據它的SiGe:C雙極工藝,設計了幾種用于高速通信的主要功能塊,它的截止頻率大于200GHz,所演示的振蕩器門延遲時間為3.7ps。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)