碳或石墨陽極的單顆和雙顆鋰離子和鋰聚合物充電盒的應用
發布時間:2021/11/4 19:39:09 訪問次數:229
電子遷移率μch來改善功率晶體的通道通態電阻，不僅是從制程上做調整，更是從晶體平面的選擇上做出選擇。在目前已量產的增強型碳化硅功率晶體的晶粒（die）結構來看，大致上可以分為二種，平面式（planar）以及溝槽式（trench）.
這兩種不同形式的結構差異不僅僅在于是否以內嵌的形式制造而成，更主要的差異在于功率晶體的通道是由不同的碳化硅晶體平面制成。
硅材料是由純硅所組成,但是碳化硅材料會依照不同的原子排列而有著不同的晶體平面。
當電池電壓下降到再充電閾值時,將會開始新的充電.器件能經受住墻上適配器的12V電壓,從而降低系統的總成本.MCP7384X的預設定電壓有4.1V,4.2V,8.2V和8.4V幾種選擇,以適合有碳或石墨陽極的單顆和雙顆鋰離子和鋰聚合物充電盒的應用.
MCP7384x系列組合了高精度,恒壓/恒流調整,電池預處理,電池溫度檢測,先進的安全計時器,自動充電終止和充電狀態指示等功能,其封裝為省空間的MSOP封裝.
降低通道導通閾值電壓VT，會造成應用上可能的誤導通現象.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
電子遷移率μch來改善功率晶體的通道通態電阻，不僅是從制程上做調整，更是從晶體平面的選擇上做出選擇。在目前已量產的增強型碳化硅功率晶體的晶粒（die）結構來看，大致上可以分為二種，平面式（planar）以及溝槽式（trench）.
這兩種不同形式的結構差異不僅僅在于是否以內嵌的形式制造而成，更主要的差異在于功率晶體的通道是由不同的碳化硅晶體平面制成。
硅材料是由純硅所組成,但是碳化硅材料會依照不同的原子排列而有著不同的晶體平面。
當電池電壓下降到再充電閾值時,將會開始新的充電.器件能經受住墻上適配器的12V電壓,從而降低系統的總成本.MCP7384X的預設定電壓有4.1V,4.2V,8.2V和8.4V幾種選擇,以適合有碳或石墨陽極的單顆和雙顆鋰離子和鋰聚合物充電盒的應用.
MCP7384x系列組合了高精度,恒壓/恒流調整,電池預處理,電池溫度檢測,先進的安全計時器,自動充電終止和充電狀態指示等功能,其封裝為省空間的MSOP封裝.
降低通道導通閾值電壓VT，會造成應用上可能的誤導通現象.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-28最新集成傳感激光測距模塊規格參數技術應用
- 11-28Supermicro NVIDIA HGX B200系統參數應用設
- 11-28新一代 ToF 激光測距傳感器詳細探討
- 11-28全新 Riedon™ 功率電阻產品系列
- 11-28分流電阻的檢測原理及市場格局
- 11-28前沿技術AI輔助診斷應用新進展
- 11-2712位模數轉換器 (ADC)參數特點技術封裝
- 11-27三角函數加速器 (TMU)系列
- 11-27單芯片“艙行泊”一體化方案探究
- 11-27CoolSiC肖特基二極管技術參數應用設計
- 11-27納微GaN Safe系列NV6515（650V,32mΩ max）IC
- 11-27臨界導通模式（CrM）詳情
公網安備44030402000607
