TSMC的0.13微米標準邏輯工藝制造無憂固定IHPT器件
發布時間:2021/11/9 13:29:39 訪問次數:232
IHPT-1411AF-AB0骨架和核心組件結構簡單，便于設計人員調整彈簧和外殼布局，外殼與顯示器固件連為一體，無需額外的外殼，從而使其成本、元件高度和力密度在同類技術中處于先進水平，包括線性諧振、線性寬帶、偏心旋轉質量和壓電執行器。此外，Vishay 還可提供無憂固定IHPT器件，包括回位彈簧和安裝孔，便于在客戶應用中快速安裝。
日前發布的器件在12 V、5 ms脈沖條件下，可驅動0.5 kg負載達到6 g加速度；同類技術只能驅動0.1 kg到0.2 kg負載達到這一水平。驅動線圈電感為1.8 mH，典型直流電阻（DCR）為0.95 W，線圈與磁芯之間絕緣耐壓150 VDC。
Virage Logic的多端口寄存器文件嵌入式存儲器，通過在同一存儲器中不同位置的同時存取，能增加處理數據或管線中的指令或并行處理器的速度。
Virage的可重置嵌入式存儲器能優化成整個結構中的讀寫端口那樣的大小。存儲器還有用戶控制的選擇功能，它允許在同一時鐘周期，用時鐘的兩個邊緣在同樣的地址進行讀和寫操作，從而數據速率雙倍(DDR)。
ASAP高速多端口寄存器文件嵌入式存儲器用臺灣TSMC的0.13微米標準邏輯工藝來制造.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
IHPT-1411AF-AB0骨架和核心組件結構簡單，便于設計人員調整彈簧和外殼布局，外殼與顯示器固件連為一體，無需額外的外殼，從而使其成本、元件高度和力密度在同類技術中處于先進水平，包括線性諧振、線性寬帶、偏心旋轉質量和壓電執行器。此外，Vishay 還可提供無憂固定IHPT器件，包括回位彈簧和安裝孔，便于在客戶應用中快速安裝。
日前發布的器件在12 V、5 ms脈沖條件下，可驅動0.5 kg負載達到6 g加速度；同類技術只能驅動0.1 kg到0.2 kg負載達到這一水平。驅動線圈電感為1.8 mH，典型直流電阻（DCR）為0.95 W，線圈與磁芯之間絕緣耐壓150 VDC。
Virage Logic的多端口寄存器文件嵌入式存儲器，通過在同一存儲器中不同位置的同時存取，能增加處理數據或管線中的指令或并行處理器的速度。
Virage的可重置嵌入式存儲器能優化成整個結構中的讀寫端口那樣的大小。存儲器還有用戶控制的選擇功能，它允許在同一時鐘周期，用時鐘的兩個邊緣在同樣的地址進行讀和寫操作，從而數據速率雙倍(DDR)。
ASAP高速多端口寄存器文件嵌入式存儲器用臺灣TSMC的0.13微米標準邏輯工藝來制造.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-2712位模數轉換器 (ADC)參數特點技術封裝
- 11-27三角函數加速器 (TMU)系列
- 11-27單芯片“艙行泊”一體化方案探究
- 11-27CoolSiC肖特基二極管技術參數應用設計
- 11-27納微GaN Safe系列NV6515（650V,32mΩ max）IC
- 11-27臨界導通模式（CrM）詳情
- 11-27GaN HEMT IC+Si MOSFET組合
- 11-26可編程多路復用通用輸入/輸出 (GPIO)
- 11-26全新實時微控制器系列優特點封裝設計
- 11-26新款四維圖艙行泊一體單芯片SoC解決方案
- 11-26Easy1B/2B系列功率模塊優勢特點及應用
- 11-26EiceDriver系列柵極驅動芯片的研究與應用
公網安備44030402000607
