NFAM5065L4B是全集成逆變器功率模塊,包括了單獨的高邊柵極驅動器,LVIC,六個IGBT和一個溫度傳感器(TVS),適用腦于驅動永磁同步(PMSM)馬達,無刷DC(BLDC)馬達和交流異步馬達.

IGBT可配置成三相橋式,具有單獨發射極連接以用于選擇控制算法有最大靈活性低位腿.

功率級具有欠壓鎖住保護(UVP),而所提供的內部的升壓二極管用于高邊柵極升壓驅動.器件具有三相650V 50A IGBT模塊和單獨的驅動器.器件具有UL1557 認證(文件No.339285).器件是無鉛和RoHS兼容的.主要用在工業驅動,工業泵,工業風扇和工業自動化.

制造商:Texas Instruments產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VSONP-8晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續漏極電流:121 ARds On-漏源導通電阻:4.3 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.5 VQg-柵極電荷:27 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:120 W通道模式:Enhancement商標名:NexFET封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Texas Instruments配置:Single下降時間:2.6 ns正向跨導 - 最小值:100 S高度:1 mm長度:6 mm產品類型:MOSFET上升時間:8.8 ns系列:CSD18503Q5A工廠包裝數量:2500子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel典型關閉延遲時間:15 ns典型接通延遲時間:4.5 ns寬度:4.9 mm單位重量:240 mg

全新USB PD充電器參考設計，它性能優異且元件數極少。

這款USB PD充電器設計的效率水平超過93%，這已包括輸入級、PFC級和反激級。它的空載性能也非常出色，在230VAC下所需的空載輸入功率低于40mW。

該設計的BOM元件數約為傳統設計的一半，可節省空間并縮短設計時間。對于批量生產超薄、超緊湊充電器的原裝及非原裝廠商來說，可大大簡化其元件采購。

DER-937報告包括電源規格、電路原理圖、PCB布局、物料清單、詳細的磁芯規格以及性能數據。