準諧振離線反激式開關IC100%占空比和寬輸入電壓范圍
發布時間:2021/11/13 8:40:16 訪問次數:165
DER-937使用了Power Integrations最近推出的兩款IC。
InnoSwitch3-PD INN3870C準諧振離線反激式開關IC集成了USB Type C和USB PD控制器、高壓PowiGaN氮化鎵開關、同步整流和FluxLink™反饋電路。HiperPFS-4 PFS7628C PFC 控制器IC內部集成Qspeed™低反向恢復電荷(Qrr)升壓二極管，可在整個負載范圍內提供超過98%的效率。
GeodeSP4SC31開發平臺支持Windows CE.NET, Windows XP, 和 Linux,立體聲音頻輸出，單聲道麥克風輸入和兩個PCI插槽。
制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術:Si安裝風格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:650 VId-連續漏極電流:54 ARds On-漏源導通電阻:37 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3.5 VQg-柵極電荷:136 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:245 W通道模式:Enhancement封裝:Tube商標:Infineon Technologies配置:Single下降時間:6 ns產品類型:MOSFET上升時間:30 ns工廠包裝數量:30子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel典型關閉延遲時間:196 ns典型接通延遲時間:53 ns零件號別名:IPW60R037CSFD SP001927820單位重量:6 g
A6986I是汽車級器件,特別設計用于隔離降壓拓撲.器件具有100%占空比和寬輸入電壓范圍,滿足汽車系統的冷啟動和負載突降指標要求.
A6986I的初級輸出電壓能精確地調整,而隔離的次級輸出則由給定的變壓器比來得出.
器件不需要光耦合器,初級沉電流能力高達1.9A(即使在軟起動時)允許適當的能量傳輸到次級邊,使得跟蹤到軟起動的次級輸出.器件滿足AEC-Q100 Grade 1規范,輸入電壓從4V到38V,8 μA IQ-SHTDWN,可調整fSW和同步.器件的RDS(on) HS = 180 mΩ, RDS(on) LS = 150 mΩ,并具有熱關斷特性.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
DER-937使用了Power Integrations最近推出的兩款IC。
InnoSwitch3-PD INN3870C準諧振離線反激式開關IC集成了USB Type C和USB PD控制器、高壓PowiGaN氮化鎵開關、同步整流和FluxLink™反饋電路。HiperPFS-4 PFS7628C PFC 控制器IC內部集成Qspeed™低反向恢復電荷(Qrr)升壓二極管，可在整個負載范圍內提供超過98%的效率。
GeodeSP4SC31開發平臺支持Windows CE.NET, Windows XP, 和 Linux,立體聲音頻輸出，單聲道麥克風輸入和兩個PCI插槽。
制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術:Si安裝風格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:650 VId-連續漏極電流:54 ARds On-漏源導通電阻:37 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3.5 VQg-柵極電荷:136 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:245 W通道模式:Enhancement封裝:Tube商標:Infineon Technologies配置:Single下降時間:6 ns產品類型:MOSFET上升時間:30 ns工廠包裝數量:30子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel典型關閉延遲時間:196 ns典型接通延遲時間:53 ns零件號別名:IPW60R037CSFD SP001927820單位重量:6 g
A6986I是汽車級器件,特別設計用于隔離降壓拓撲.器件具有100%占空比和寬輸入電壓范圍,滿足汽車系統的冷啟動和負載突降指標要求.
A6986I的初級輸出電壓能精確地調整,而隔離的次級輸出則由給定的變壓器比來得出.
器件不需要光耦合器,初級沉電流能力高達1.9A(即使在軟起動時)允許適當的能量傳輸到次級邊,使得跟蹤到軟起動的次級輸出.器件滿足AEC-Q100 Grade 1規范,輸入電壓從4V到38V,8 μA IQ-SHTDWN,可調整fSW和同步.器件的RDS(on) HS = 180 mΩ, RDS(on) LS = 150 mΩ,并具有熱關斷特性.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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