mPower 電源完整性解決方案進一步完善了西門子的電子物理簽核(Signoff)套件，可全面處理功耗、性能和可靠性分析問題，該套件還包括 Calibre® PERC 軟件、PowerPro™ 軟件、HyperLynx™軟件和 Analog FastSPICE 平臺，設計人員現在可以使用全套西門子電源完整性設計流程進行設計。

設計公司必須進行模塊和全芯片 EM/IR 分析，以確認電網能夠為設備提供必需的電流，而且保證導線不會過早出現故障。

使用西門子創新的mPower解決方案,設計人員即擁有了可用于任何規模的模擬,數字和混合信號的layout的快速可擴展動態分析能力,面對最大規模的數字芯片,也可實現硅驗證的精確度和快速周轉時間。

PNJ方案相對普通Si MOSFET方案性能上有不少的提升，300V滿載下效率提升將近4%。

與國外競爭產品相比，PNJ推出1700V,3Ω的SiC MOS效率可以和ROHM 1700V,1Ω SiC MOS SCT2H12NZ達到相同水平。

考慮到高壓輔助電源，輸入電流通常較小，導通損耗占比較小，開關損耗主導。通過優化寄生電容，從而獲得更小的開關損耗，采用較大的Rds(on)即可獲得與國外競品相同的效率.較大的Rds(on),可以采用更小的芯片面積，從而降低SiC生產成本，獲得價格優勢。

由于母線電壓通常大于600V,因此輔助電源需要采用2個800V Si MOS構成的雙管反激電路，而采用1700V SiC MOS 由于可以耐更高的電壓.

更小的Rds(on),可以采用1個SiC MOS構成更為簡單的反激電路實現，從而大幅減小了元器件數量，設計更簡單，驅動設計更容易，縮短開發周期，因此可以用于300V 至1000V輸入的反激式拓撲中。