功率半導體是實現電能轉換的核心器件，能夠對電壓電流的運用進行有效控制，通過開關狀態的變化，實現逆變、整流、變頻等多種功能，控制對電子電力系統的能量輸出，將整個電子電力系統的能耗控制在最低范圍內，從而達到對能量的合理管理，降低能耗，減少碳排放。

功率半導體器件的不同結構決定著其不同的開關頻率、功率水平和擊穿場強，因此也決定著不同類型功率半導體的使用場景。

晶閘管、IGBT、MOSFET是當前市面上最常見的三類功率半導體器件。

然而，隨著技術節點縮小到3nm或更小，FinFET器件將面臨如靜電完整性、不可忽視的短通道效應、器件性能下降和工藝變異性增大，為了滿足性能和溝道控制特性，垂直堆疊的GAA nanosheet晶體管（以下簡稱NS晶體管以及NS溝道）結構一直被視為最有應用前景的新型器件結構。

NS溝道釋放后會在子鰭頂部形成一個寄生的段溝道平面FET或一個偏扁平的FinFET。因此，由子鰭引起的寄生溝道效應將導致電特性的退化，這已成為一個不可避免的工藝難題挑戰。

據三星電子推測，將于明年上市的Micro LED產品的LTPS TFT生產費用為，89英寸產品(49個TFT)為3500美元至4000美元，101英寸產品(64個)為4500美元至5000美元出頭，114英寸產品(81個)為5500美元至6000美元左右。

但是，若如業界推測，LTPS TFT的制造成本超過三星電子的預測時，計劃有可能會出現差池。

據悉，Micro LED用LTPS TFT制程所需的光罩為24道。由于晶體管和排線增加，需要很多光罩。六代OLED一般需要11至12道光罩。光罩數越多，其技術難度就越高。