PowerPAK SO-8封裝直流轉換器應用中MOSFET的關鍵優值
發布時間:2021/12/5 23:30:46 訪問次數:581
在電信、數據通信、電子數據處理、無線網絡系統、醫療儀器,以及基于負載點應用的分布式總線架構等應用中,ISL8201M小巧的尺寸可大大節省電路板面積,同時高集成度又降低了采購和倉儲成本。另外,板上的輸入濾波器支持超低噪聲的操作,從而減少EMI。
節省空間、降低成本、簡化設計的高集成度功率轉換模塊ISL8201M。
ISL8201M使電源的設計過程大為簡化,只需輸入和輸出電容器,以及一個電阻器,即可實現一個完整的電源方案。
KXTE9系列擴展其數字輸出三軸加速計出產品線。
KXTE9具有嵌入式算法,用于方向和活動監測,器件簡化了消費電子日益流行的基于運動功能的采用,卻使得工作功耗降到功能如此產品中世界最低水平。
除了方向監測外,KXTE9具有一個活動監測功能。這一功能可以報告設備運動狀態的改變,活動或不活動。通過給設備提供這一信息,KXTE9能實現目前移動設備以及其他新穎的基于運動的應用的電源管理這一關鍵功能,從而延長了電池壽命。
新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP,擴展了其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝,在 20V 額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與柵極電荷乘積。
SiR440DP 在 4.5V 柵極驅動時最大導通電阻為 2.0m,在 10V 柵極驅動時最大導通電阻為 1.55m。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中MOSFET的關鍵優值 (FOM),在 4.5V 時為 87。
與為實現低傳導損耗及低切換損耗而優化的最接近的同類競爭器件相比,這些規格表示在 4.5V 及 10V 時導通電阻分別降低 23% 與 22.5%,FOM 降低 27%。
(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
在電信、數據通信、電子數據處理、無線網絡系統、醫療儀器,以及基于負載點應用的分布式總線架構等應用中,ISL8201M小巧的尺寸可大大節省電路板面積,同時高集成度又降低了采購和倉儲成本。另外,板上的輸入濾波器支持超低噪聲的操作,從而減少EMI。
節省空間、降低成本、簡化設計的高集成度功率轉換模塊ISL8201M。
ISL8201M使電源的設計過程大為簡化,只需輸入和輸出電容器,以及一個電阻器,即可實現一個完整的電源方案。
KXTE9系列擴展其數字輸出三軸加速計出產品線。
KXTE9具有嵌入式算法,用于方向和活動監測,器件簡化了消費電子日益流行的基于運動功能的采用,卻使得工作功耗降到功能如此產品中世界最低水平。
除了方向監測外,KXTE9具有一個活動監測功能。這一功能可以報告設備運動狀態的改變,活動或不活動。通過給設備提供這一信息,KXTE9能實現目前移動設備以及其他新穎的基于運動的應用的電源管理這一關鍵功能,從而延長了電池壽命。
新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP,擴展了其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝,在 20V 額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與柵極電荷乘積。
SiR440DP 在 4.5V 柵極驅動時最大導通電阻為 2.0m,在 10V 柵極驅動時最大導通電阻為 1.55m。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中MOSFET的關鍵優值 (FOM),在 4.5V 時為 87。
與為實現低傳導損耗及低切換損耗而優化的最接近的同類競爭器件相比,這些規格表示在 4.5V 及 10V 時導通電阻分別降低 23% 與 22.5%,FOM 降低 27%。
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