高性能的ISL8201M低傳導及切換損耗將確保穩壓器模塊

發布時間:2021/12/5 23:35:09 訪問次數:290

Vishay Siliconix SiR440DP 將在同步降壓轉換器以及二級同步整流及 OR-ing 應用中用作低端 MOSFET。其低傳導及切換損耗將確保穩壓器模塊 (VRM)、服務器及使用負載點 (POL) 功率轉換的諸多系統實現功效更高且更節省空間的設計。

20V SiR866DP 和 SiR890DP n 通道功率 MOSFET。這些器件在 4.5V 時分別提供 2.5m的導通電阻，在 10V 時為 1.9m; 及 2.9m，典型柵極電荷為 35.3nC 及 20nC。

這些器件無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS 標準，因此符合有關消除有害物質的國際法規要求。

Quad-Core AMD Opteron處理器(8346/8384)系列采用45-nm技術和浸沒式光刻技術，能實現高35%的性能，空閑時功耗降低35%，并具有優越的虛擬化性能。“Shanghai” CPU支持改進的DDR2-800存儲器和6-Mbyte 3級緩存，從而有助于加速存儲密集的應用。

快速虛擬化索引,標簽轉換后備緩沖器,HyperTransport Technology3.02等特性。

處理器第一個系列為75-W ACP，在2.3——2.7 GHz工作。增強的HE（55-W）和SE（105-W）處理器計劃于09年第一季度生產。

與之前的版本采用相同封裝所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝,更低的導通電阻及柵極電荷意味著更低的傳導損耗及切換損耗。

ISL8201M是高效率、低噪聲、高集成度的DC/DC電源解決方案，在熱增強的QFN封裝內集成了PWM控制器、MOSFET驅動器、功率MOSFET、電感器，以及優化的補償電路。

高集成度、高性能的ISL8201M采用小尺寸15mm x 15mm x 3.5mm QFN封裝。

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