控制環路要COMP1引腳上電容器進行補償及小型電動機控制
發布時間:2022/1/8 22:32:23 訪問次數:658
CTLS5064-M532以及CTLS5064R-M532可控硅整流器，為TLM532表面貼裝，單個400-V 0.8-A器件，是專門為具有高度限制的產品而設計的。TLM532 DFN封裝的尺寸為2.1 x 3.1 x 1.0 mm。
這些SCR的主要特點包括，0.8–V柵極閾值電壓，200A柵極閾值電流，通態開關速度2.8s。這些器件適合用于快速開關，高電壓體積小的產品，包括，數碼相機閃光燈，GFI保護，探測器和傳感器，燈驅動器，以及小型電動機控制。
新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL (More Battery Life) SRAM 是市場上密度最大的低功耗 SRAM，旨在延長高端銷售點終端、游戲應用、VoIP 電話、手持消費和醫療設備等應用的電池工作時間。
新推出的 3 兆比特和6兆比特快速異步 SRAM 與 24 位寬的處理器相連接，能充分滿足音頻處理、無線和網絡等應用的需求。
高密度存儲器模塊，它是基于該公司的2Gb 50nm的DDR3. 三星公司此次推出18種基于DDR3的高密度高性能模塊,主要用于服務器.這些產品包括16GBRIMM模塊和一個8GB RDIMM模塊。去年九月，韓國三星公司還推出了用于PC的50納米級 2Gb DDR3。
16GB高密度模塊為1066 Mb/每秒(Mbps)，在雙插槽CPU服務器系統里，其全部存儲密度可達192GB。三星公司也是第一個推出可在1.35 V電壓下運行的16GB RDIMM的公司，該器件比1.5V DDR3解決方案，可以節省20%的電耗。
(素材來源：21ic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
CTLS5064-M532以及CTLS5064R-M532可控硅整流器，為TLM532表面貼裝，單個400-V 0.8-A器件，是專門為具有高度限制的產品而設計的。TLM532 DFN封裝的尺寸為2.1 x 3.1 x 1.0 mm。
這些SCR的主要特點包括，0.8–V柵極閾值電壓，200A柵極閾值電流，通態開關速度2.8s。這些器件適合用于快速開關，高電壓體積小的產品，包括，數碼相機閃光燈，GFI保護，探測器和傳感器，燈驅動器，以及小型電動機控制。
新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL (More Battery Life) SRAM 是市場上密度最大的低功耗 SRAM，旨在延長高端銷售點終端、游戲應用、VoIP 電話、手持消費和醫療設備等應用的電池工作時間。
新推出的 3 兆比特和6兆比特快速異步 SRAM 與 24 位寬的處理器相連接，能充分滿足音頻處理、無線和網絡等應用的需求。
高密度存儲器模塊，它是基于該公司的2Gb 50nm的DDR3. 三星公司此次推出18種基于DDR3的高密度高性能模塊,主要用于服務器.這些產品包括16GBRIMM模塊和一個8GB RDIMM模塊。去年九月，韓國三星公司還推出了用于PC的50納米級 2Gb DDR3。
16GB高密度模塊為1066 Mb/每秒(Mbps)，在雙插槽CPU服務器系統里，其全部存儲密度可達192GB。三星公司也是第一個推出可在1.35 V電壓下運行的16GB RDIMM的公司，該器件比1.5V DDR3解決方案，可以節省20%的電耗。
(素材來源：21ic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
- 11-22新一代5G-A模組RG650V-NA結構技術參數應用及需求分析
- 11-22電池儲能系統 (BESS)結構設計及解決方案
- 11-22全新高脈沖制動電阻系列參數技術應用設計
- 11-22Telcordia GR-468 CORE測試應用全
- 11-22DSP（數字信號處理器）系列介紹
- 11-22AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢
公網安備44030402000607
