低功耗SRAM和兩款快速異步SRAM標稱輸出阻抗為6Ω
發布時間:2022/1/8 22:37:32 訪問次數:461
板載2.5V帶隙電壓基準驅動REFOUT引腳。 它經過調整并指定用于驅動從REFOUT連接到IREFIN的2k 電阻器,對應于1.25mA 負載 (IOUTFS = 10mA)。
REFOUT的標稱輸出阻抗為6Ω,或每毫安0.24%,因此必須對其進行緩沖以驅動任何額外的外部負載。 REFOUT 引腳上需要一個0.1μF的電容進行補償。 請注意,即使不使用內部基準,也需要此電容器以確保穩定性。
在輸出合規性方面,指定的輸出順從電壓范圍為±1V。直流線性規范INL和DNL在IOUT A上調整并保證到I-V轉換器的虛擬地,但在整個輸出順從范圍內通常非常好。
當原邊有漏電感且當開關斷開時,其儲能需要釋放,通常必須加緩沖電路。正激電路中的變壓器的磁化電流越小越好,而反激必須具有一定的值以儲存能量。
有源鉗位反激電路的目的在于解決直流諧振環輸出電壓過高的問題,而電壓峰值過高的原因是輸出電壓實際上是LC串聯諧振電路的電容端壓,在諧振狀態下,該電壓必然會高出電源電壓。
但諧振狀態是使后續電路獲得軟開關環境的手段,因此,采用有源鉗位電路的作用是在保持電路諧振的前提下,將輸出電壓峰值限制在可以接受的水平上。
低功耗SRAM和兩款快速異步SRAM,進一步豐富了其業界領先的產品系列。
CY7C1024DV33 3兆比特 3.3V SRAM 提供 128K x 24 配置,CY7C1034DV33 6兆比特 3.3V SRAM 提供 256K x 24 配置。這兩款產品的存取時間都為 10-ns,采用符合 RoHS 標準的 119-BGA 封裝。
異步 SRAM 是采用賽普拉斯高性能 90 納米 C9 CMOS 工藝技術制造的。
另外,16GB RDIMM還具有雙芯封裝配置,與4芯封裝配置相比,性價比更高。
(素材來源:21ic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
板載2.5V帶隙電壓基準驅動REFOUT引腳。 它經過調整并指定用于驅動從REFOUT連接到IREFIN的2k 電阻器,對應于1.25mA 負載 (IOUTFS = 10mA)。
REFOUT的標稱輸出阻抗為6Ω,或每毫安0.24%,因此必須對其進行緩沖以驅動任何額外的外部負載。 REFOUT 引腳上需要一個0.1μF的電容進行補償。 請注意,即使不使用內部基準,也需要此電容器以確保穩定性。
在輸出合規性方面,指定的輸出順從電壓范圍為±1V。直流線性規范INL和DNL在IOUT A上調整并保證到I-V轉換器的虛擬地,但在整個輸出順從范圍內通常非常好。
當原邊有漏電感且當開關斷開時,其儲能需要釋放,通常必須加緩沖電路。正激電路中的變壓器的磁化電流越小越好,而反激必須具有一定的值以儲存能量。
有源鉗位反激電路的目的在于解決直流諧振環輸出電壓過高的問題,而電壓峰值過高的原因是輸出電壓實際上是LC串聯諧振電路的電容端壓,在諧振狀態下,該電壓必然會高出電源電壓。
但諧振狀態是使后續電路獲得軟開關環境的手段,因此,采用有源鉗位電路的作用是在保持電路諧振的前提下,將輸出電壓峰值限制在可以接受的水平上。
低功耗SRAM和兩款快速異步SRAM,進一步豐富了其業界領先的產品系列。
CY7C1024DV33 3兆比特 3.3V SRAM 提供 128K x 24 配置,CY7C1034DV33 6兆比特 3.3V SRAM 提供 256K x 24 配置。這兩款產品的存取時間都為 10-ns,采用符合 RoHS 標準的 119-BGA 封裝。
異步 SRAM 是采用賽普拉斯高性能 90 納米 C9 CMOS 工藝技術制造的。
另外,16GB RDIMM還具有雙芯封裝配置,與4芯封裝配置相比,性價比更高。
(素材來源:21ic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)