商用碳化硅MOSFET，目前產品涵蓋SiC SBD、SiC MOSFET和全SiC模組，其中SiC SBD、SiC MOSFET可以裸芯片的形式供貨。羅姆在2015年發布了第3代也是第一款商用溝槽結構的SiC MOSFET產品，支持18V驅動。2020年，羅姆又推出了第4代SiC MOSFET。

目前，不僅可供應裸芯片，還可供應分立封裝的產品。分立封裝的產品已經完成了面向消費電子設備和工業設備應用的產品線開發，后續將逐步開發適用于車載應用的產品。

對比羅姆的第3代SiC MOSFET產品，第4代SiC MOSFET具有導通電阻更低的特點。

PM=P1-(pΩ十Fe+p∫)

電磁功率扣除定子繞組的銅耗揚后,就是向負載輸出的有功功率P2,即:

P2=PM-pc

ε-E0與1J之間的相位差角。隱極電機的磁勢電勢相矢。可見,當發電機的勵磁電流不變時,電磁功率大小只取決于ε角的大小,為功率角,PM=r(e)曲線稱為同步發電機的功角特性,ε角又稱隱極電機的相矢圖及功角特性磁勢電勢相矢圖功角特性

因為這一突破性的設計,使8080非常成功,同時為后面處理器兼容性/擴展存儲奠定了基礎。一款處理器MC6800，MC6800處理器是M6800微機系統的一部分，其中還包括串行和并行接口。

摩托羅拉6800和英特爾8080同一時期設計，功能相似。6800有一個8位雙向數據總線，一個可以尋址 64KB內存的16位地址總線。