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VCCs的直流精度交流性能和驅動能力在應用中

發布時間:2022/3/22 12:26:07 訪問次數:992

燃氣渦輪發動機工作期間,外來物被發動機吸人,這些外來物沖擊葉片并造成損傷,稱為外來物損傷(FOD)。

葉片更換要求換裝動量矩相同的葉片,在葉片根部有該數據。轉子能夠無振動運轉,其彼此相對的葉片應產生同樣的離心力。離心力取決于3個因素:轉子轉速、葉片質量和葉片重心離轉軸的距離。

在有偶數葉片的壓氣機上,一個葉片損壞,同時更換對稱的兩個葉片;

在有奇數葉片的壓氣機上,一個葉片損壞,同時更換對稱的3個葉片,保持轉子平衡。如果仍不能平衡,需要用平衡重量校正,見壓氣機部分。


電壓控制型電流源(VCCs)廣泛用于醫療器械、工業自動化等眾多領域。VCCs的直流精度、交流性能和驅動能力在這些應用中至關重要,增強型 Howland 電流源(EHCS)電路的局限性,利用復合放大器拓撲進行改進,以實現高精度、快速建立的±500mA電流源。

增強型Howland電流源,傳統的Howland電流源(HCS)電路,而公式1顯示如何計算輸出電流。如果R2足夠大,輸出電流將保持恒定。

雖然較大的R2會降低電路速度與精度,但在反饋路由中插入一個緩沖器,形成一個增強型Howland電流源可以解決這一問題.所有通過R0的電流都流入RL.輸出電流由公式2計算。

SiC MOSFET逆變器相比IGBT逆變器可以實現更高的集成度、更小的體積,并且將開關損耗減少80%。據Edoardo Merli分享,采用SiC MOSFET逆變器的電動汽車,在全工作負載的情況下,整體的能效都要比IGBT逆變器好得多。

而且實際汽車的使用過程中,超過95%的工況都是在低負載的情況,這種低負載工況下IGBT逆變器和SiC MOSFET逆變器的能效比相差了3~4個百分點。

將光子應用于經典計算以及量子信息處理,需要高密度的芯片級集成,從而使每單位芯片面積都擁有日益復雜的光學功能。從這個角度而言,諸如頂層硅均勻性、表面平整度、局部缺陷、晶圓形狀等幾何參數都需要遵循這些需求。


燃氣渦輪發動機工作期間,外來物被發動機吸人,這些外來物沖擊葉片并造成損傷,稱為外來物損傷(FOD)。

葉片更換要求換裝動量矩相同的葉片,在葉片根部有該數據。轉子能夠無振動運轉,其彼此相對的葉片應產生同樣的離心力。離心力取決于3個因素:轉子轉速、葉片質量和葉片重心離轉軸的距離。

在有偶數葉片的壓氣機上,一個葉片損壞,同時更換對稱的兩個葉片;

在有奇數葉片的壓氣機上,一個葉片損壞,同時更換對稱的3個葉片,保持轉子平衡。如果仍不能平衡,需要用平衡重量校正,見壓氣機部分。


電壓控制型電流源(VCCs)廣泛用于醫療器械、工業自動化等眾多領域。VCCs的直流精度、交流性能和驅動能力在這些應用中至關重要,增強型 Howland 電流源(EHCS)電路的局限性,利用復合放大器拓撲進行改進,以實現高精度、快速建立的±500mA電流源。

增強型Howland電流源,傳統的Howland電流源(HCS)電路,而公式1顯示如何計算輸出電流。如果R2足夠大,輸出電流將保持恒定。

雖然較大的R2會降低電路速度與精度,但在反饋路由中插入一個緩沖器,形成一個增強型Howland電流源可以解決這一問題.所有通過R0的電流都流入RL.輸出電流由公式2計算。

SiC MOSFET逆變器相比IGBT逆變器可以實現更高的集成度、更小的體積,并且將開關損耗減少80%。據Edoardo Merli分享,采用SiC MOSFET逆變器的電動汽車,在全工作負載的情況下,整體的能效都要比IGBT逆變器好得多。

而且實際汽車的使用過程中,超過95%的工況都是在低負載的情況,這種低負載工況下IGBT逆變器和SiC MOSFET逆變器的能效比相差了3~4個百分點。

將光子應用于經典計算以及量子信息處理,需要高密度的芯片級集成,從而使每單位芯片面積都擁有日益復雜的光學功能。從這個角度而言,諸如頂層硅均勻性、表面平整度、局部缺陷、晶圓形狀等幾何參數都需要遵循這些需求。


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