全新的PCM120T系列屏蔽型SMT功率電感器。 PCM電感器專門經過優化，非常適合高飽和電流和低直流電阻的應用。

其中PCM120T系列可提供介于0.4μH至10μH的14種電感值，飽和電流最大可達80A，具體視電感值L而定。新元件具有諸多特點和優勢，比如：采用金屬合金磁芯以獲得優異的飽和特性；采用扁平繞組結構最大限度降低損耗，具有0.72mΩ (0.4 μH) 至 9mΩ (10μH) 的低電阻值 (RDC)；外殼采用屏蔽的密封磁芯,無外部氣隙，電感周圍具有非常出色的EMC性能；引線框架結構，非常適合自動焊點AOI檢測，并且實現了<0.1mm的共面性；

絕緣性能良好的金屬合金磁芯，可承受高壓脈沖（滿足ISO7636標準）。

與傳統的硅基器件相比，GaN和SiC的工作電壓更高、開關速度更快、導通電阻更低，因此在能效方面可以做到超越。

雖然都是寬禁帶器件，但GaN和SiC的器件特性也有著明顯的差異，其中SiC的工作電壓要比GaN高得多，因此更適用于高壓的應用中，譬如汽車和工業等大功率系統設備中；而GaN的開關頻率要更快，因此更適合快充、射頻開關等應用領域，例如一些小型化的電源適配器等、射頻開關等。

借助SiC和GaN這類寬禁帶器件，可以在傳統拓撲上實現更簡單和高效的設計，從而實現系統層面上整體的成本降低，實現小型化和輕量化。

以支持NVIDIA新芯片的大規模CoWoS封裝。

NVIDIA新一代計算芯片,基于新的Hopper架構,也是第一款基于多芯片模塊設計(MCM)的GPU,將采用臺積電5nm工藝制造和CoWoS先進封裝,支持HBM2e內存和其他連接特性。

Blackwell架構的下一代HPC芯片，可能會采用臺積電HPC專用的N4X工藝節點進行試生產的，但仍有待觀察，AMD也采用了CoWoS技術封裝其大部分HPC和服務器芯片，同時將其部分產品通過日月光的FOEB 2.5D IC解決方案進行封裝，以降低成本。