電磁波頻率提高100倍高達1.6Gbps的高速DDR4接口能力
發布時間:2022/4/28 13:03:49 訪問次數:157
中等密度FPGA的預期資源,包括多達461k邏輯元件、多達1,420個18x18數學塊、多達33Mb的用戶SRAM、8個完全可配置的PLL、高達1.6Gbps的高速DDR4接口能力,以及帶有兩個硬連線PCIe Gen2端點/根端口,以高達12.7Gbps的數據速率運行的多協議收發器。
它采用成熟的低功耗SONOS 28nm工藝制造,可實現顯著的低功耗。
五個內核都以高達625MHz的速度運行。直接處理器I/O功能包括兩個千兆以太網控制器、一個USB 2.0 On-The-Go控制器和兩個CAN接口。
維修文件的有效性,任何維修文件都有有效性(Effectivity),也就是此文件的適用性,即該維修文件是針對哪種機型制定的,對哪些飛機有效。
手冊的客戶化首先引人一個概念―――機隊(Fleet)。一般來說同一個運營商購買的同一機型的飛機構成一個機隊,針對某一機隊或該機隊某些飛機有效的維修文件稱為客戶化手冊(Customized Manuals);
飛機型別號碼每一種手冊為了防止混淆對應飛機的有效性,在手冊的前言(Front Mattcr)部分記錄了該手冊所能適用的機隊所有飛機的各種號碼,如:注冊登記號,序列號。
在氧化鎵材料制備中,可通過摻雜電荷載流子提高氧化鎵材料的導電性。在摻雜過程中,還可向晶體添加定量雜質,從而控制半導體電荷載流子濃度。
利用離子注入、退火等工藝,在晶體中添加或消除自由電子,進而使電荷可以自由移動。另一方,在離子注入和外延生長期間,氧化鎵材料能夠更精確地定義晶體管尺寸,并生成各種器件拓撲結構。
氧化鎵制備需要配備貴金屬銥容器來加熱熔化原材料,從而產生氧化鎵結晶。拋開結晶質量不穩定等問題,制造直徑為15厘米的氧化鎵結晶以水冷后的銅質容器替代貴金屬銥容器,同時將電磁波頻率提高100倍,即可熔化得到約5厘米氧化鎵結晶,極大地降低了制造成本,提高了成品率。
中等密度FPGA的預期資源,包括多達461k邏輯元件、多達1,420個18x18數學塊、多達33Mb的用戶SRAM、8個完全可配置的PLL、高達1.6Gbps的高速DDR4接口能力,以及帶有兩個硬連線PCIe Gen2端點/根端口,以高達12.7Gbps的數據速率運行的多協議收發器。
它采用成熟的低功耗SONOS 28nm工藝制造,可實現顯著的低功耗。
五個內核都以高達625MHz的速度運行。直接處理器I/O功能包括兩個千兆以太網控制器、一個USB 2.0 On-The-Go控制器和兩個CAN接口。
維修文件的有效性,任何維修文件都有有效性(Effectivity),也就是此文件的適用性,即該維修文件是針對哪種機型制定的,對哪些飛機有效。
手冊的客戶化首先引人一個概念―――機隊(Fleet)。一般來說同一個運營商購買的同一機型的飛機構成一個機隊,針對某一機隊或該機隊某些飛機有效的維修文件稱為客戶化手冊(Customized Manuals);
飛機型別號碼每一種手冊為了防止混淆對應飛機的有效性,在手冊的前言(Front Mattcr)部分記錄了該手冊所能適用的機隊所有飛機的各種號碼,如:注冊登記號,序列號。
在氧化鎵材料制備中,可通過摻雜電荷載流子提高氧化鎵材料的導電性。在摻雜過程中,還可向晶體添加定量雜質,從而控制半導體電荷載流子濃度。
利用離子注入、退火等工藝,在晶體中添加或消除自由電子,進而使電荷可以自由移動。另一方,在離子注入和外延生長期間,氧化鎵材料能夠更精確地定義晶體管尺寸,并生成各種器件拓撲結構。
氧化鎵制備需要配備貴金屬銥容器來加熱熔化原材料,從而產生氧化鎵結晶。拋開結晶質量不穩定等問題,制造直徑為15厘米的氧化鎵結晶以水冷后的銅質容器替代貴金屬銥容器,同時將電磁波頻率提高100倍,即可熔化得到約5厘米氧化鎵結晶,極大地降低了制造成本,提高了成品率。