SiC MOSFET相較于Si MOS和IGBT能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時還能夠降低系統成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于SiC MOSFET的方案。

SiC MOSFET開關速度快，開關過程中柵極電壓更容易發生震蕩，如果震蕩超過其柵極耐壓能力，則有可能導致器件柵極可靠性退化或直接損壞。

很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久，往往會在驅動電壓測量上遇到問題，即測得的驅動電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰，導致搞不清楚是器件的問題還是電路設計的問題，進而耽誤開發進度。

高壓差分探頭的為差分輸入且輸入阻抗高，在電源開發過程中一般都會選擇它來測量驅動波形。

有時在使用高壓差分探頭時獲得的驅動波形顯得非常粗，這往往是由于高壓差分探頭的衰減倍數過大導致的。衰減倍數大，高壓差分探頭的量程就大，使得分辨率大幅下降，同時示波器在還原信號時還會將噪聲放大。此時就需要選擇衰減倍數較小的高壓差分探頭或選擇高壓差分探頭衰減比較小的檔位。

高壓差分探頭測量驅動電壓，衰減倍數分別選擇50倍和500倍，可以明顯到500倍衰減倍數下驅動波形非常粗。

傳統的電源技術已經很難滿足應用需求，采用LLC諧振變換技術來實現高電源開關效率的方式被廣泛應用，250W LLC諧振直流變換器開發板方案。該方案具有高集成度，有助于客戶提高功率密度與能效。

射頻電源傳輸解決方案，該方案結合了先進的數字控制電源和精確的數字阻抗匹配網絡。針對薄膜工業應用設計的ALTA™平臺具有超強適應能力及控制精確性和重復性,增強了工藝穩定性并提供最佳產能。

新穎獨特的蝶形設計可改善操控性。這確保了對Arduino連接器的訪問是用戶友好的，并減少了來自電磁影響的潛在干擾，尤其是使用RF IoT Arduino屏蔽。