ESD沖擊可高達30kV或更高，上升時間快，并且可以熔化硅和導線，電流高達30A。ESD具有如此大的能量，可能導致元件完全失效。

對于邊帶使用 (SBU) 和配置通道 (CC) 線路，請考慮SP1006單向TVS二極管。該元件可以在μDFN-2封裝中安全地吸收30kV ESD沖擊。SP1006是一款非常可靠的TVS二極管，符合AEC-Q101標準，適用于USB通信的汽車應用。 

Vbus線路要求TVS二極管能夠承受比信號線保護器件更高的功率水平。 

SPHV系列200 W TVS二極管可保護容量為100W的Vbus線路。 SPHV二極管可承受30kV的ESD沖擊，并通過AEC-Q101認證，采用表面貼裝封裝。 

對于擴展功率范圍接口，一個示例解決方案是SMBJ二極管。 它具有比SPHV二極管更高的600W峰值額定功率，并且可以吸收高達30kV的ESD沖擊。 與其它推薦用于USB端口的TVS二極管一樣，SMBJ二極管是表面貼裝元件。

每個不同的TVS二極管都具有保護一組特定線路免受ESD影響所必需的功能，并且不會干擾線路的功能。將這些二極管結合到電路中可以防止即時故障、軟故障和潛在的過早失效。

最壞情況為短路。短路時，MOSFET導通電流非常高 (理論上無限高)，頻率也會降低。當發生短路時，諧 振回路中Lm被旁路.LLC諧振變換器可以簡化為由Cr和Lr組成的諧振電路，因為Cr只與Lr發生諧振。

省略了t1-t2時段，短路時次級二極管在CCM模式下連續導通。短路狀態下工作模式幾乎與過載狀態下一樣，但是短路狀態更糟糕，因為流經開關體二極管的反向恢復 電流更大。

短路時功率MOSFET的開關波形。短路的波形與過載下的波形類似，但是其電流的等級更高，MOSFET結溫度更高，更容易失效。