80C51微處理器產品，配備達64KB的Flash程序記憶體、2KB隨機記憶體及I2C串行接口，可支援各類先進的計算程序，這些代號為P89C66x的新產品進一步鞏固飛利浦半導體在80C51領域的領導地位。

P89C66x在一些以高級電腦語言例如C或C++編寫而成的應用程序、或一些需要使用Flash記憶體、大量隨機記憶體及I2C串行接口的設計最能發揮所長。

P89C66x有一個內置下載器，可支援Flash記憶體的串行ISP及IAP，讓Flash程序記憶體在程序操作期間也能進行組裝。

5種基本變形(a)拉伸變形;(b)壓縮變形;(c)剪切變形;(d)扭轉變形;(e)彎曲變形

內力當構件在載荷作用下發生變形時,構件材料分子之間會產生反抗變形,力圖使其恢復原形的力,這就是內力。內與引起內力的外應變形的5種形壓力、剪力、彎矩和扭矩

應力和應變,在載荷作用下,維構做應立⒍如果內力是均勻分布的,則應力等于截面上的內力除以截面面積。應力拉應力、壓應力和剪應力。

正應力和正應變,正應力是拉應力和壓應力的統稱。正應力是垂直于即的法向方向,用符號σ表示,正應力矢量方向由截面向外指.

JTAG發生時無需DSP介入，因此，電路板組裝時可以安裝一個空白器件，然后，在組裝線終端完成編程，而無需成本昂貴的插座和預編程閃存以及邏輯器件。

DSM2180F3為受尺寸、EMI水平和功耗限制的產品提供了一個最理想的系統級解決方案，DSM提供的閃存和邏輯均是“零功率”，使它們能夠在存儲訪問或邏輯輸入變化之間自動切換，產生的活動和待機電流十分小。

對于3.3V器件,待機電流最低可達25μA,因此,DSM2180F3是電池供電產品的最理想器件。