Luc van den Hove提到了幾代器件架構，從FinFET器件到插板和原子通道器件，以及新材料和ASML的High-NA曝光機的導入，這都需要很多年的時間。而ASML目前正在安裝的High-NA曝光機的原型設備。

Luc van den Hove強調，為了邁向更先進制程，需要開發新的器件架構，以及推動標準單元的微縮。在FinFET已經成為從10納米到3納米的主流技術的基礎上，從2納米開始，由納米片堆疊而成的GAA架構將是最有可能的概念。

系統芯片設備將使用TSV和微凸點技術進行芯片的3D堆疊，并使用不同制程芯片來完成不同的任務，使得多個3D芯片需要連接在一個硅中介層上。

DS28E30 1-Wire ECDSA安全認證器，這是一款高性價比解決方案，用于檢測和保護產品，防止產品被偽造或濫用。

通過基于行業標準FIPS 186橢圓曲線數字簽名算法(ECDSA)的固定功能密碼工具箱、密鑰和應用數據安全存儲，以及單觸點1-Wire接口，可以盡可能簡單、輕松地集成到現有設計或新設計中。

DS28E30提供多種安全功能，可以實現有限壽命的工具、傳感器和其他外設的使用管理。 其中包括單調、不可復位的遞減計數器；以及可選的、受ECDSA保護的1Kb通用EEPROM，用于存儲包括終端產品生命周期信息在內的應用數據。

此外，物聯網的主要環境效益來自于企業解決方案。物聯網消費設備旨在為消費者提供更好的價值主張，而企業的解決方案則通常是為了某種程度的效率提高。這些效率提升，一般體現在減少電力消耗或減少燃料或水源消耗上。

InnoSwitchTM3-TN系列極大地增加了電器,消費類產品和工業應用的輔助電源的效率.

小型MinSOP封裝和低數量外接元件使得InnoSwitch3-TN系列產品非常適合緊湊的設計.產品滿足EcoSmart™能量效率,在230VAC時無負載的功耗小于5mW.主要用在電器和工業系統的輔助電源.