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內部電流感應高電壓SenseFET提供650V最小擊穿額定電壓

發布時間:2022/9/26 13:06:15 訪問次數:355

超低功耗的基于MCU的片上信號鏈(SCoC)MSP430F169,它有一個8通道200KSPS 的12位ADC,兩個12位DAC和一個可編程的直接存儲器存取控制器(DMA),非常適合用在功率,空間和成本都敏感的地方。

集成了在3通道DMA控制下的12位ADC和兩個12位DAC,設計者能完全實現低功耗應用如從激光器泵和熱電冷卻器到遙控網絡可讀儀表的完整的閉環回路。

DMA由于不通過CPU能提供熟練的和可配置的數據傳輸,因此擴展了基于MCU的信號處理能力。DMA傳輸觸發源,對CPU完全是透明的,允許內部和外部硬件精確的傳輸控制。DMA消除了數據傳輸到片上DAC和其它外設的時延,16位RISC CPU不用花時間去處理數據,而直接處理任務。片上DAC和DMA一起,和采用外部DAC和軟件的相比,可得到的模擬輸出頻率要提高10倍。

FS8S0765RC型電源開關(FPS),這是用于CRT監視器回掃電源應用的高集成度離線電源開關。

FS8S0765RC集成了一個具有抗雪崩能力的SenseFET(最小額定擊穿電壓為650V),帶有初級穩壓功能的電流模式PWM IC。這個獨特組合能將外部組件減至最少,簡化設計并降低目標應用的成本。該器件在待機模式下(低于2W@265Vac)可進入間歇工作模式,并通過減小開關損耗,大幅度降低功耗。

FS8S0765RC電源開關還擁有集成的固定頻率振蕩器、低電壓鎖住、優化的前沿屏蔽功能和柵極開/關驅動電路,以及用于環路補償和故障保護電路的具有精確的溫度補償的電流源。其內部電流感應高電壓SenseFET提供650V最小擊穿額定電壓。FS8S0765RC采用節省空間的TO-220-5L封裝。

雙N-溝共漏功率MOSFET NTLTD7900,用于手持電子如手機,尋呼機和PDA的鋰離子電池管理。

NTLTD7900是9A不是20V器件,設計用在一元和兩元鋰離子電池盒的保護電路。它的封裝是3.3x3.3mm Micro-8LL無引腳封裝,和其它的TSSOP-8封裝的同類產品相比,降低它在板的占位面積達48%。

NTLTD7900在4.5V的RDS(ON)為26耗歐姆,最小化功率消耗,所以延長電池的壽命。它的熱阻降低到82度/W,而TSSOP-8為88度/W。所以,雖然Micro-8LL封裝更小,但是不影響性能。齊納二極管保護柵使靜電放電(ESD)保護超過工業上的要求。柵二極管集成到FET,電路中不用另接分立的背對背齊納二極管。


超低功耗的基于MCU的片上信號鏈(SCoC)MSP430F169,它有一個8通道200KSPS 的12位ADC,兩個12位DAC和一個可編程的直接存儲器存取控制器(DMA),非常適合用在功率,空間和成本都敏感的地方。

集成了在3通道DMA控制下的12位ADC和兩個12位DAC,設計者能完全實現低功耗應用如從激光器泵和熱電冷卻器到遙控網絡可讀儀表的完整的閉環回路。

DMA由于不通過CPU能提供熟練的和可配置的數據傳輸,因此擴展了基于MCU的信號處理能力。DMA傳輸觸發源,對CPU完全是透明的,允許內部和外部硬件精確的傳輸控制。DMA消除了數據傳輸到片上DAC和其它外設的時延,16位RISC CPU不用花時間去處理數據,而直接處理任務。片上DAC和DMA一起,和采用外部DAC和軟件的相比,可得到的模擬輸出頻率要提高10倍。

FS8S0765RC型電源開關(FPS),這是用于CRT監視器回掃電源應用的高集成度離線電源開關。

FS8S0765RC集成了一個具有抗雪崩能力的SenseFET(最小額定擊穿電壓為650V),帶有初級穩壓功能的電流模式PWM IC。這個獨特組合能將外部組件減至最少,簡化設計并降低目標應用的成本。該器件在待機模式下(低于2W@265Vac)可進入間歇工作模式,并通過減小開關損耗,大幅度降低功耗。

FS8S0765RC電源開關還擁有集成的固定頻率振蕩器、低電壓鎖住、優化的前沿屏蔽功能和柵極開/關驅動電路,以及用于環路補償和故障保護電路的具有精確的溫度補償的電流源。其內部電流感應高電壓SenseFET提供650V最小擊穿額定電壓。FS8S0765RC采用節省空間的TO-220-5L封裝。

雙N-溝共漏功率MOSFET NTLTD7900,用于手持電子如手機,尋呼機和PDA的鋰離子電池管理。

NTLTD7900是9A不是20V器件,設計用在一元和兩元鋰離子電池盒的保護電路。它的封裝是3.3x3.3mm Micro-8LL無引腳封裝,和其它的TSSOP-8封裝的同類產品相比,降低它在板的占位面積達48%。

NTLTD7900在4.5V的RDS(ON)為26耗歐姆,最小化功率消耗,所以延長電池的壽命。它的熱阻降低到82度/W,而TSSOP-8為88度/W。所以,雖然Micro-8LL封裝更小,但是不影響性能。齊納二極管保護柵使靜電放電(ESD)保護超過工業上的要求。柵二極管集成到FET,電路中不用另接分立的背對背齊納二極管。


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