晶體管的速度主要由電子通過晶體管的快慢來決定。這取決于制造晶體管的半導體材料和電子必須通過的距離。絕大多數標準晶體管所用的材料是硅。

速度為350GHz的鍺硅晶體管。這種新型晶體管的性能比現有的產品高近300%，比先前報道過的硅晶體管快65%。手指甲大小的微芯片能有幾百萬個晶體管。

IBM開發的晶體管將會使通信芯片在大約兩年內速度高于150GHz。該晶體管也期望能大大地降低通信系統和其它電子產品的功耗和成本。

和EEPROM的100萬次寫入周期相比，8引腳OIC封裝則有無限次寫入周期，工作溫度在0-85度C其數據可保存10年。

每個設備單獨電源的安裝是特別貴的，因為它要連接到交流電(AC)上。單獨的數據和電源線的安裝同樣會要化更多時間發現并修理故障。另外，每增加一個傳感器或除去一個激勵器，數據和電源線必須要適當改變，常常出現在新連接建立前網絡會關斷的現象。

新六片裝MB84VY6A4A1 MCP采用Fusitsu的新型包裹式堆棧多片封裝(PS-MCP)技術，包一對封裝鍵合成有所有六個存儲器的單一單元。

MCP分成四片上裝和兩片下裝。上裝有128Mb NOR雙運作的閃存，64Mb NOR雙運作閃存，64Mb移動FCRAM和好2Mb移動FCRAM。下裝有32Mb NOR雙運作閃存和8Mb低功耗SRAM。

總線寬度為16位,工作電壓為2.85V±0.15V,工作溫度為-26度C到85度C.MCPMCP有10萬次擦除/寫入。