UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了多種導通電阻和封裝選項。

1200 V SiC FET的導通電阻(RDS(on))值為23mΩ至70mΩ，可采用三引線TO-247-3L封裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L封裝采用開爾文柵極，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合開關感性負載，以及任何需要標準柵極驅動的應用。

UF4C/SC系列所有器件都可以用標準的0V至12V或15V柵極驅動電壓安全驅動，從而在不改變柵極驅動電壓的情況下，成為硅IGBT、FET或超級結器件的合適替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括：通過真正的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容限、出色的反向恢復特性和內置ESD柵極保護箝位。

再將假設的C、E電極互換,重復上面步驟,比較兩次測得的電阻大小。測得電阻小的那次,紅表筆所接的引腳是集電極C,另一端是發射極E。

單列直插集成電路。所謂單列直插集成電路就是它的引腳只有一列,且引腳為直的(不是彎曲的).這類集成電路的引腳分布規律。

單列曲插集成電路。單列曲插集成電路的引腳也是呈一列排列的,但引腳不是直的,而是彎曲的,即相鄰兩個引腳的彎曲方向不同。是幾種單列曲插集成電路的引腳分布規律。

集成電路的基本檢測方法 集成電路的檢測分為在線檢測和脫機檢測。

在線檢測是測量集成電路各腳的直流電壓,與集成電路各腳直流電壓的標準值相比較,以此來判斷集成電路質量的好壞。脫機檢測是測量集成電路各腳間的直流電阻,并與集成電路各腳間直流電阻的標準值相比較,從而判斷集成電路的好壞。

但是要注意,若因負載短路的原因,使大電流流過集成電路造成的損壞,在沒有排除負載短路故障的情況下,用相同型號的集成塊進行替換實驗,其結果是造成集成塊的又一次損壞,因此,替換實驗的前提是必須保證負載不短路。