TP65H300G4LSG是一款240毫歐、通過JEDEC認證的PQFN88表面貼裝器件，具有±18V柵極安全裕度。FET是建立在QRF、有源鉗位反激模式（ACF）或LLC諧振拓撲結構上的150W或以下低功率應用的理想選擇。

Transphorm的TP65H300G4LSG具有與硅類似的閾值水平和高柵極擊穿電壓（最大±18 V）。

BR100系列采用7nm制程，集成770億晶體管，基于壁仞科技自主原創的芯片架構開發，采用Chiplet(芯粒)、2.5D CoWoS等先進的設計、制造與封裝技術，可搭配64GB HBM2E顯存，超300MB片上緩存，支持PCIe 5.0、CXL互聯協議等。

性能方面，1024 TOPS INT8、512 TFLOPS BF16、256 TFLOPS TF32+、128 TFLOPS FP32，可實現2.3TB/s外部I/O帶寬，支持64路編碼、512路解碼等，號稱在FP32(單精度浮點)、INT8(整數，常用于人工智能推理)等維度.

接口方面，T830支持3個PCI-Express、USB 3.2、速率高達10GbE的兩個USXGMII接口，并通過PCM/SPI接口支持RJ11電話線。

晶棧(Xtacking)3.0技術的第四代TLC三維閃存X3-9070。

相比上一代產品，X3-9070可實現2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規范，實現了50%的性能提升。X3-9070也是存儲歷史上密度最高的是閃存顆粒，能夠在更小的單芯片中實現1Tb容量(128GB)。

最后X3-9070采用創新6-plane設計，相比傳統4-plane，性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比顯著提升，可降低用戶的總擁有成本。