非隔離式DC/DC控制器可以從3.3V、5V或12V電源軌轉換為處理器內核電壓。過去運行良好的現有解決方案可能無法滿足當今高性能處理器的要求。

隨著進一步集成和提高性能，處理器內核電壓開始下降到1V以下，而其電流消耗增加到數安培。這些工藝技術的進步必須與現成的負載點解決方案相匹配。我們將更詳細地解決這些挑戰，以展示最新控制器和MOSFET技術的優勢。

這些先進的產品能夠支持陶瓷大容量、旁路和濾波電容器、浪涌電流、主動EMI降低以通過FCC批準規范，嚴格的電壓調節精度，最后但并非最不重要的是，在啟動期間支持預充電電容器組。同時實現高效率、小尺寸和更高的可靠性。

單通道TVS是市場上最常見的封裝，但與陣列封裝TVS相比，它占用了大量的PCB面積，尤其是對于具有大量數據走線的高速應用。TVS陣列封裝使設計變得簡單，并且可以靈活地適應不同的應用。陣列封裝可以通過結合不同的電氣特性TVS設計為一些特定應用的整體解決方案。

這有助于工程師同時滿足小封裝和極端浪涌魯棒性的需求，從而消除了小PCB空間和高浪涌魯棒性之間的權衡。

我還測量了一些 X7R、0805、50V電容器，甚至是0402、10V額定電容器，其失真與上述類似。

AZ5A16-01M采用了特殊的MCSP封裝設計。與傳統CSP封裝類似的晶圓級封裝，MCSP采用6面保護涂層，封裝架構更強，SMT推力更強，幫助AZ5A16-01M通過眾多廠商要求的嚴格SMT推力測試，同時保持優異的成績小包裝的優勢。

兩種看似相同的0.01μF，50V，0,0603，X7R類型，具有20伏的峰信號擺動。

這些電容器在FFT圖上有非常不同的失真特征。對失真產品的一個更好的比較。其中一個“看似相同”的電容器的失真比另一個好2：1.兩個看似相同的50V，X7R，0603大小的電容器的FFT失真特征。可以看出，一個人有明顯更差的失真特征。