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C0G陶瓷和堆疊薄膜電容器切換外部MOSFET縮短死區時間

發布時間:2022/11/14 1:19:38 訪問次數:55

TPS4030x系列等DC/DC控制器經過優化,可提高效率并包含當今多軌處理器所需的高級功能。TPS4030x系列具有強大的驅動器,可快速切換外部MOSFET并縮短死區時間,從而在整個負載范圍內實現高效率。

帶有集成二極管的自舉電路還允許使用低R DS(ON)N溝道MOSFET作為高端開關。

TPS4030x 系列同步降壓控制器在3至20V輸入范圍內工作,支持3.3V、5V和12V的中間總線電壓。這些控制器實施電壓模式控制架構。頻率擴展頻譜(FSS)功能為開關頻率增加了抖動,從而顯著降低了峰值EMI噪聲并使其更容易符合EMI標準。

在選擇保護器件時需要注意兩點:ESD保護器件的寄生電容要足夠低,V-by-One®HS和V-by的寄生電容下限-一個®美國是不同的。對于Direct pin injection測試,ESD事件期間ESD保護器件的鉗位電壓必須足夠低,以防止傳輸過程中的錯誤和T-CON損壞。

Amazing Microelectronic 提供最有效的ESD保護器件——TVS(瞬態電壓抑制器件)。與其他ESD保護器件相比,TVS的低鉗位電壓特性使其保護效果達到A級。

LVDS和V-by-One®HS的一般寄生電容為0.45pF TVS[AZ1043-08F],其布局Feed-through的特性使布局更方便,更容易實現阻抗匹配。

8K階段的V-by-One®US,由于差分對的傳輸速度達到16Gbps,推薦使用能夠通過IEC 61000最高測試等級的AZ111S-08F TVS -4-2:接觸8kV/空氣15kV,其極低的寄生電容(0.1pF)滿足未來各種高速應用。

設置僅限于Sound Blaster中DAC的16位失真。我按預期測量了各種0.01μF、C0G陶瓷和堆疊薄膜電容器。他們沒有給輸出增加可測量的失真。

熱管理在封裝選擇過程中至關重要,以確保產品的高可靠性。良好的熱評估需要結合分析計算、經驗分析和熱建模。問題在于確定特定集成電路在高溫下是否可靠。如果不遵循特定的分析方法,就不可能提供可靠的答案。在直流模式操作中,一些參數如熱阻(θ JA )和結溫(θ JC)。

來源:21ic.如涉版權請聯系刪除。圖片供參考

TPS4030x系列等DC/DC控制器經過優化,可提高效率并包含當今多軌處理器所需的高級功能。TPS4030x系列具有強大的驅動器,可快速切換外部MOSFET并縮短死區時間,從而在整個負載范圍內實現高效率。

帶有集成二極管的自舉電路還允許使用低R DS(ON)N溝道MOSFET作為高端開關。

TPS4030x 系列同步降壓控制器在3至20V輸入范圍內工作,支持3.3V、5V和12V的中間總線電壓。這些控制器實施電壓模式控制架構。頻率擴展頻譜(FSS)功能為開關頻率增加了抖動,從而顯著降低了峰值EMI噪聲并使其更容易符合EMI標準。

在選擇保護器件時需要注意兩點:ESD保護器件的寄生電容要足夠低,V-by-One®HS和V-by的寄生電容下限-一個®美國是不同的。對于Direct pin injection測試,ESD事件期間ESD保護器件的鉗位電壓必須足夠低,以防止傳輸過程中的錯誤和T-CON損壞。

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來源:21ic.如涉版權請聯系刪除。圖片供參考

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