窄脈沖現象產生的主要原因是由于IGBT或FWD剛開始開通時，不會立即充滿載流子，當在載流子擴散時關斷IGBT或二極管芯片，與載流子完全充滿后關斷相比，di/dt可能會增加。

相應地在換流雜散電感下會產生更高的IGBT關斷過電壓，也可能會引起二極管反向恢復電流突變，進而引起snap-off現象。但該現象與IGBT和FWD芯片技術、器件電壓和電流都緊密相關。

先要從經典的雙脈沖示意圖出發，IGBT門極驅動電壓、電流和電壓的開關邏輯，從IGBT的驅動邏輯看，可以分為窄脈沖關斷時間toff，實際是對應二極管FWD的正向導通時間ton，其對反向恢復峰值電流、恢復速度都有很大影響,反向恢復最大峰值功率不能超過FWD SOA的限制.

可容易地通過方式配置轉換器以獲得一個高壓負輸出電壓軌。該轉換器通過增設一個電容器和一個二極管實現了開關電壓的充分利用，以產生一個負輸出。一個耦合電容器C5在停機期間增添了輸入至輸出斷接功能，這與CUK轉換器是相似的。

一個使用LT8331的CUK轉換器，而反相器在采用12V輸入時的效率曲線。

IGBT的SCSOA與前面RBSOA有一點不同，通常沒有提供曲線，但是，會在其Datasheet中提供類似圖7的短路電流ISC數據，可以看到，在給定的門極驅動電壓VGE、BUS電壓VCC，150℃結溫下Tvj，IGBT模塊FP50R12N2T7可以承受短路電流190A，只要能夠在8us內關斷IGBT，都可以保證IGBT不會損壞。

SCSOA也可以在實驗室內通過雙脈沖測試進行驗證，短路屬于極端工況，借助雙脈沖測試，客戶可以根據Datasheet提供的數據以及雙脈沖測試的結果，評估和優化驅動電路、保護電路的設計，以及功率回路雜散電感的影響。

短路期間，IGBT快速進入線性工作區，溫升急劇上升，必須在8us內快速關斷IGBT，否則，IGBT就可能失效。

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