在低至幾十至幾百瓦的功率下工作時，1700V SiC MOSFET晶體管的優勢開始展現。SiC技術是輔助電源（AuxPS）的理想解決方案，幾乎所有電力電子系統都使用AuxPS。

1700V SiC MOSFET幫助減輕AuxPS故障的方法之一是利用其高擊穿電壓、低比導通電阻和快速開關等特性。在這些特性的共同加持下，可極大簡化采用單開關反激拓撲的電路設計.

基于硅的解決方案則面臨各種問題，包括額定電壓對于該拓撲而言過低（這就需要使用雙開關架構，導致故障風險加倍），或者需要犧牲性能才能達到額定電壓。此外，這類解決方案的供應商數量較少，成本也高于SiC器件。

此類平臺包括支持低功耗藍牙(BLE)、Zigbee和6LoWPAN等協議的無線通信模塊。此外，開發環境也支持這些平臺，包括可定制固件、Free RTOS和各種用例。

隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，SiC技術的眾多優勢已惠及新興終端設備細分市場，包括電動商用和重型車輛、輕軌牽引和輔助動力、可再生能源以及工業傳動等領域。

超聲換能器通常采用PZT陶瓷制成。換能器將電壓信號轉換為超聲波進入人體，同時接收人體組織產生的回波。回波轉換成微小電壓信號，并傳輸至發射/接收(T/R)開關。

超聲系統提供不同類型的成像模式，每種成像模式對動態范圍有不同的要求。這也意味著，SNR或噪聲要求取決于不同的成像模式。黑白模式需要70dB動態范圍，脈沖波多普勒(PWD)模式需要130dB，連續波多普勒(CWD)模式需要160dB。

對于黑白模式，本底噪聲非常重要，它會影響在遠場能夠看到的最小超聲回波的最大深度，也就是穿透，這是黑白模式的關鍵指標之一。

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