集成式電壓轉換器改進芯片設計對α粒子有更大的吸收力
發布時間:2022/12/2 13:24:36 訪問次數:74
IC工藝的晶圓級芯片尺寸封裝*2DSN1006-3(1.0mm×0.6mm),在實現小型化的同時還降低了功耗。
與相同封裝的普通產品相比,表示導通損耗和開關損耗之間關系的指標(導通電阻*3×Qgd*4)改善了20%左右,達到業內先進水平(1.0mm×0.6mm以下封裝產品比較),非常有助于縮減各種小型設備電路板上的元器件所占面積并進一步提高效率。
另外,還采用ROHM自有的封裝結構,使側壁有絕緣保護(相同封裝的普通產品沒有絕緣保護)。在受空間限制而不得不高密度安裝元器件的小型設備中,使用這款新產品可降低因元器件之間的接觸而導致短路的風險,從而有助于設備的安全運行。
VTH21系列光電二極管的特點及優勢:
用于直接檢測α粒子的裸片增加了吸收量,與封裝器件相比,性能更好
堅固的抗輻射設計,可確保在現場長期運行
優化的芯片設計對α粒子有更大的吸收力,因此系統具有更高的性能
大面積的芯片提高了低信號環境下的檢測率,提高了系統性能
與導電性環氧樹脂安裝兼容的組件
提供定制服務
符合RoHS標準
1W“固定輸出電壓隔離SIP/SMT 模塊”,為 MagI3C FISM 電源模塊家族加入了全新的產品。該系列在集成式電壓轉換器的基礎上改進,其突出特點包括:連續短路保護 (SCP) 和更高的隔離電壓。九款全新的模塊采用標準SIP-4、SIP-7和SMT-8封裝,與之前的MagI3C FISM產品引腳兼容。
模塊中包含功率器件、變壓器、輸入和輸出電容,無需外部元件即可工作,能大幅減少電路設計工作量。這降低了開發成本,使得新產品能更快推向市場。
整個產品系列都通過了現行的UL62368-1標準認證,但新一代模塊提供了更高的安全性。
不會因短路而損壞,并且具備高隔離電壓,SIP-4模塊隔離電壓達1.5 kV, SIP-7和 SMT-8隔離電壓達3kV,可持續60秒。
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
來源:21ic.如涉版權請聯系刪除。圖片供參考
IC工藝的晶圓級芯片尺寸封裝*2DSN1006-3(1.0mm×0.6mm),在實現小型化的同時還降低了功耗。
與相同封裝的普通產品相比,表示導通損耗和開關損耗之間關系的指標(導通電阻*3×Qgd*4)改善了20%左右,達到業內先進水平(1.0mm×0.6mm以下封裝產品比較),非常有助于縮減各種小型設備電路板上的元器件所占面積并進一步提高效率。
另外,還采用ROHM自有的封裝結構,使側壁有絕緣保護(相同封裝的普通產品沒有絕緣保護)。在受空間限制而不得不高密度安裝元器件的小型設備中,使用這款新產品可降低因元器件之間的接觸而導致短路的風險,從而有助于設備的安全運行。
VTH21系列光電二極管的特點及優勢:
用于直接檢測α粒子的裸片增加了吸收量,與封裝器件相比,性能更好
堅固的抗輻射設計,可確保在現場長期運行
優化的芯片設計對α粒子有更大的吸收力,因此系統具有更高的性能
大面積的芯片提高了低信號環境下的檢測率,提高了系統性能
與導電性環氧樹脂安裝兼容的組件
提供定制服務
符合RoHS標準
1W“固定輸出電壓隔離SIP/SMT 模塊”,為 MagI3C FISM 電源模塊家族加入了全新的產品。該系列在集成式電壓轉換器的基礎上改進,其突出特點包括:連續短路保護 (SCP) 和更高的隔離電壓。九款全新的模塊采用標準SIP-4、SIP-7和SMT-8封裝,與之前的MagI3C FISM產品引腳兼容。
模塊中包含功率器件、變壓器、輸入和輸出電容,無需外部元件即可工作,能大幅減少電路設計工作量。這降低了開發成本,使得新產品能更快推向市場。
整個產品系列都通過了現行的UL62368-1標準認證,但新一代模塊提供了更高的安全性。
不會因短路而損壞,并且具備高隔離電壓,SIP-4模塊隔離電壓達1.5 kV, SIP-7和 SMT-8隔離電壓達3kV,可持續60秒。
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