內部續流二極管兼備快速恢復和高恢復軟度確保導通損耗
發布時間:2023/8/13 11:03:03 訪問次數:337
低TCR(<20PPM/℃)的固態金屬鎳鉻或錳銅合金電阻芯,在0805封裝尺寸內實現了高功率電阻,同時保持Power Metal Strip結構優異的電氣特性。器件的小尺寸使其能替換較大尺寸的檢流電阻,節省電路板上的空間,從而為消費者設計出更小、更輕的產品。
功率耗散是其他0805封裝尺寸器件的8倍,非常適合各種類型的檢流和脈沖應用,包括引擎、傳動、音響和溫度控制等汽車電子控制裝置中的開關和線性電源、儀表、功率放大器,以及旁路電阻;
用于服務器、筆記本電腦的VRM、鋰離子電池安全和管理的DC/DC轉換器。為提高可靠性,電阻減小了與PCB不匹配的CTE(熱膨脹系數),降低由于熱循環導致焊點開裂的可能性。
S系列IGBT提供15A、25A、40A三個額定電流值,采用標準引腳或TO-247加長引腳封裝。
全系產品標配最新的內部續流二極管,兼備快速恢復和高恢復軟度,確保IGBT具有超低電磁干擾和導通損耗。
作為8kHz最高開關頻率硬開關拓撲的理想選擇,新款S系列采用第三代溝柵式場截止型制造工藝,補充并完善了1200V IGBT的M系列和H系列的市場布局,M系列和H系列產品分別定位在20kHz與20kHz以上的開關電源市場,與新款S系列一起,這三大系列產品將成為常用開關頻率電源廠商針對先進、高能效IBGT器件的最佳選擇。
HiperPFS-3 IC集成有一個可在輕載時激活的數字式功率因數增強電路;該電路可增加相移補償,以克服X電容在EMI濾波電路中的電抗,從而減小輸入電壓與電流之間的相位角差。
因此,設計師可增加X電容的尺寸,同時減小或省去差模扼流圈,從而在不降低輕載功率因數性能的情況下降低EMI。這樣可降低EMI濾波級的成本,并減小其尺寸。
S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開關頻率達到8kHz時,新系列雙極器件的導通和關斷綜合損耗創市場新低,大幅度提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業電機等類似設備的電源轉換效率。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
低TCR(<20PPM/℃)的固態金屬鎳鉻或錳銅合金電阻芯,在0805封裝尺寸內實現了高功率電阻,同時保持Power Metal Strip結構優異的電氣特性。器件的小尺寸使其能替換較大尺寸的檢流電阻,節省電路板上的空間,從而為消費者設計出更小、更輕的產品。
功率耗散是其他0805封裝尺寸器件的8倍,非常適合各種類型的檢流和脈沖應用,包括引擎、傳動、音響和溫度控制等汽車電子控制裝置中的開關和線性電源、儀表、功率放大器,以及旁路電阻;
用于服務器、筆記本電腦的VRM、鋰離子電池安全和管理的DC/DC轉換器。為提高可靠性,電阻減小了與PCB不匹配的CTE(熱膨脹系數),降低由于熱循環導致焊點開裂的可能性。
S系列IGBT提供15A、25A、40A三個額定電流值,采用標準引腳或TO-247加長引腳封裝。
全系產品標配最新的內部續流二極管,兼備快速恢復和高恢復軟度,確保IGBT具有超低電磁干擾和導通損耗。
作為8kHz最高開關頻率硬開關拓撲的理想選擇,新款S系列采用第三代溝柵式場截止型制造工藝,補充并完善了1200V IGBT的M系列和H系列的市場布局,M系列和H系列產品分別定位在20kHz與20kHz以上的開關電源市場,與新款S系列一起,這三大系列產品將成為常用開關頻率電源廠商針對先進、高能效IBGT器件的最佳選擇。
HiperPFS-3 IC集成有一個可在輕載時激活的數字式功率因數增強電路;該電路可增加相移補償,以克服X電容在EMI濾波電路中的電抗,從而減小輸入電壓與電流之間的相位角差。
因此,設計師可增加X電容的尺寸,同時減小或省去差模扼流圈,從而在不降低輕載功率因數性能的情況下降低EMI。這樣可降低EMI濾波級的成本,并減小其尺寸。
S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開關頻率達到8kHz時,新系列雙極器件的導通和關斷綜合損耗創市場新低,大幅度提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業電機等類似設備的電源轉換效率。
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