在半導體表面摻雜濃度較低時很難形成較理想的歐姆接觸
發布時間:2023/10/6 20:55:00 訪問次數:226
在顯示高分辨率影像和關鍵尺寸控制方面己經取得了進展。隨著圖形幾何尺寸的縮小,散粒噪聲開始制造麻煩。
光刻膠在顯影以后的坍塌會將其高寬比限制在2.5~3之間,因此,每一代工藝進步后的光刻膠絕對厚度都減薄了。使用浸沒式光刻技術,光刻膠材料的顯影過程必須保證將光刻膠引發的缺陷率降到最低,這進一步限制了材料的選擇。
對EUVL,光刻膠的氣體釋放會對精密的反射性光學表面形成污染。
當金屬功函數大于P型硅功函數而小于N型硅功函數時,金屬―半導體接觸即可形成理想的歐姆接觸。
但是,由于金屬一半導體界面的表面態的影響,使得半導體表面感應空間電荷區層形成接觸勢壘,因此在半導體表面摻雜濃度較低時,很難形成較理想的歐姆接觸。
高復合中心歐姆接觸。當半導體表面具有較高的復合中心密度時,金屬一半導體間的電流傳輸主要受復合中心控制。
工作及檢查后方可起動電動機,電動機起動時應先點動,預檢電動機有無異常現象及轉向是否正確。
檢查轉軸扳動電動機的轉軸是否自由旋轉,不可有松或緊現象。對于滑動軸承,轉子的軸向游動量每邊為2-3mm。
檢查運轉方向對不可逆轉電動機(如砂輪機),需檢查運轉方向是否與該電動機運轉指示箭頭方向相同。
檢查軸承檢查電動機軸承是否有油,滑動軸承是否達到規定油位。
檢查電動機內部檢查電動機內部有無雜物或積塵。
其他檢查繞線式電動機還應檢查滑環上的電刷表面是否全部貼緊滑環,導線有否相碰,電刷提升是否靈活,電刷的壓力是否正常。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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光刻膠在顯影以后的坍塌會將其高寬比限制在2.5~3之間,因此,每一代工藝進步后的光刻膠絕對厚度都減薄了。使用浸沒式光刻技術,光刻膠材料的顯影過程必須保證將光刻膠引發的缺陷率降到最低,這進一步限制了材料的選擇。
對EUVL,光刻膠的氣體釋放會對精密的反射性光學表面形成污染。
當金屬功函數大于P型硅功函數而小于N型硅功函數時,金屬―半導體接觸即可形成理想的歐姆接觸。
但是,由于金屬一半導體界面的表面態的影響,使得半導體表面感應空間電荷區層形成接觸勢壘,因此在半導體表面摻雜濃度較低時,很難形成較理想的歐姆接觸。
高復合中心歐姆接觸。當半導體表面具有較高的復合中心密度時,金屬一半導體間的電流傳輸主要受復合中心控制。
工作及檢查后方可起動電動機,電動機起動時應先點動,預檢電動機有無異常現象及轉向是否正確。
檢查轉軸扳動電動機的轉軸是否自由旋轉,不可有松或緊現象。對于滑動軸承,轉子的軸向游動量每邊為2-3mm。
檢查運轉方向對不可逆轉電動機(如砂輪機),需檢查運轉方向是否與該電動機運轉指示箭頭方向相同。
檢查軸承檢查電動機軸承是否有油,滑動軸承是否達到規定油位。
檢查電動機內部檢查電動機內部有無雜物或積塵。
其他檢查繞線式電動機還應檢查滑環上的電刷表面是否全部貼緊滑環,導線有否相碰,電刷提升是否靈活,電刷的壓力是否正常。
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