數模混合Bi-CMOS與數字Bi-CMOs工藝之間的基本區別在于,數模混合Bi-CMOs通常工作在一個較寬的工作電壓(高于10V)范圍。由于這些高電壓超出了一些由5V兼容Bi-CMOs工藝中所集成的器件的最高電壓,ESD11B5.0ST5G因此必須更改器件結構和工藝步驟以適合數模應用。

中壓數模混合工藝需要對CMOs和雙極器件的性能進行優化設計,以滿足高電壓的要求。

對CMOS的速度和性能進行折中,以滿足在高電壓下可靠地工作(例如,柵氧需要加厚以便能滿足更高柵壓的要求,但飽和電流將會模擬功能也需要無源器件,這些無源器件必須具有較小的溫度和電壓系數。

數模Bi￡MOs工藝根據其應用可再分為:

中壓(10~30V)工藝,基于CMOS工藝流程;

大功率(大于30V且大于lA)工藝,基于功率模擬工藝流程。

多晶硅電阻因具有比擴散電阻更小的溫度系數而在需要精確電阻的場合得到大量使用。

與此類似,由于空穴注入可以忽略,由電子一空穴結合引起的界面態產生已變得不重要。

正常工作期間,轉速受很多因素影響,如引氣負荷,電負荷,進氣溫度和進氣壓力。

另外,漏極附近熱載流子的運動因碰撞電離而產生電子―空穴對。產生的多數空穴流向襯底,形成襯底電流,部分空穴隨著漏極向柵極正向電場的形成而注入氧化層。這樣電子和空穴這兩種載流子都注入s⒑2,引起器件特性的很大變動,這時產生的是溝道熱載流子注入效應。

由于超深亞微米器件工作電壓太低,不能產生明顯的電荷俘獲,并且由于柵氧化層太薄,俘獲電荷易發生泄漏,因此電荷俘獲可以忽略。

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