功率MOSFET關斷時儲存在電感上能量轉換為LED驅動電流
發布時間:2023/10/31 8:38:08 訪問次數:163
14納米凌動內核，即Airmont，芯片還使用45納米技術制造，讓英特爾在PC芯片方面落后一代。
從22納米工藝開始，英特爾將改變筆記本的功率范圍設計，設計目標由40W下降到15W。另外，還將提供大量片上系統解決方案來涵蓋1W至10W范圍的芯片。
將在Medfield（32納米凌動）芯片的基礎上設計智能手機芯片,由于對目前處理器路線圖的不甚滿意，一個目標是在智能手機和平板電腦設備上部署其處理器。Paul認為應該改變原有路線圖，尋找新的中心點。
當VDD電壓大于UVLO時，GATE端可以輸出高電平，此時電路將通過限制功率管電流峰值的方式工作。
如果希望系統軟啟動，則可在LD端對地并接一個電容，以使LD端電壓按期望的速率上升，進而控制LED的電流緩慢上升。
因為Silicon Labs MCU產品的許多目標應用需要與計算機或應用處理器進行通信，因此該公司根據需要提供了通信函數庫和驅動程序。所有這些代碼使得嵌入式設計人員能夠專注于產品開發，而不是復雜的MCU或軟件協議。
新的四核處理器主要特點是針對性能強化的同時將功耗降至最低。其熱設計功耗為27.5W，處理器主頻為1.2GHz。
14納米凌動內核，即Airmont，芯片還使用45納米技術制造，讓英特爾在PC芯片方面落后一代。
從22納米工藝開始，英特爾將改變筆記本的功率范圍設計，設計目標由40W下降到15W。另外，還將提供大量片上系統解決方案來涵蓋1W至10W范圍的芯片。
將在Medfield（32納米凌動）芯片的基礎上設計智能手機芯片,由于對目前處理器路線圖的不甚滿意，一個目標是在智能手機和平板電腦設備上部署其處理器。Paul認為應該改變原有路線圖，尋找新的中心點。
當VDD電壓大于UVLO時，GATE端可以輸出高電平，此時電路將通過限制功率管電流峰值的方式工作。
如果希望系統軟啟動，則可在LD端對地并接一個電容，以使LD端電壓按期望的速率上升，進而控制LED的電流緩慢上升。
因為Silicon Labs MCU產品的許多目標應用需要與計算機或應用處理器進行通信，因此該公司根據需要提供了通信函數庫和驅動程序。所有這些代碼使得嵌入式設計人員能夠專注于產品開發，而不是復雜的MCU或軟件協議。
新的四核處理器主要特點是針對性能強化的同時將功耗降至最低。其熱設計功耗為27.5W，處理器主頻為1.2GHz。
相關技術資料- 11-21業內首款HBM4控制器IP技術優勢及計算應用
- 11-21ARM Cortex-A系列處理器算法運算̴
- 11-21AI ISP的技術優勢和市場發展趨勢詳情
- 11-21全球折疊屏柔宇顯示技術應用優勢及市場發展趨勢分析
- 11-21新一代服務器芯片 3C6000 系列發展優勢
- 11-21 80 TOPS 算力智能駕駛專用芯片
- 11-20高集成離線反激式開關 IC技術參數架構應用概述
- 11-20三通道雙向直流電源EA-PSB 20000 Triple̴
- 11-20新款USB PD3.1 EPR 240W技術參數標準及設計
- 11-20液晶顯示（LCD）面板和電視市場發展趨勢
- 11-20全新Arm v9架構集成5G基帶應用詳解
- 11-20定制芯片BYD 9000先進4nm制程工藝
公網安備44030402000607
