擴大驅動范圍縮小電池尺寸優化系統尺寸和成本是半導體的功率模塊
發布時間:2024/6/30 16:00:48 訪問次數:83
五款新系列60V、100V和150V表面貼裝溝槽式MOS勢壘肖特基（TMBS®）整流器---VxNL63, VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤DFN3820A封裝。
在60℃高溫條件下，其暗電流(DC)、白點(White Pixel)分別相對降低約22%和71%，其DSNU降低約57%，不懼智能手機連續視頻錄制帶來的高溫干擾，呈現自然純凈、細節豐富的畫面。
移動影像的進化，讓智能手機用戶隨時隨地記錄分享生活、進行影像創作。
硅EDT2技術，可在750V電壓等級下提供100kW至180kW的功率范圍。
第一代車規級HybridPACK Drive CoolSiC MOSFET。這不僅讓逆變器的設計在1200V等級內實現更高的功率（最高可達250kW），還擴大了驅動范圍、縮小了電池尺寸、優化了系統尺寸和成本是半導體在市場上領先的功率模塊。
同規格單層BSI產品，SC130HS的讀取噪聲(RN)和PRNU分別降低約20%和38%。
移動影像的進化，讓智能手機用戶隨時隨地記錄分享生活、進行影像創作。
SC130HS可支持多種格式的高幀率影像輸出，包括13MP全分辨率視頻（普通模式：60fps；HDR模式：30fps）、1080P 120fps和720P 240fps慢動作視頻等。
VxNL63, VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153額定電流7A，達到業界先進水平，電流密度比傳統SMA（DO-214AC）封裝器件高50%，比SMF（DO-219AB）封裝器件高12%，為商業、工業、能源和車載應用提供節省空間的高效解決方案，每種產品都有汽車級AEC-Q101認證版本。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導體有限公司
五款新系列60V、100V和150V表面貼裝溝槽式MOS勢壘肖特基（TMBS®）整流器---VxNL63, VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤DFN3820A封裝。
在60℃高溫條件下，其暗電流(DC)、白點(White Pixel)分別相對降低約22%和71%，其DSNU降低約57%，不懼智能手機連續視頻錄制帶來的高溫干擾，呈現自然純凈、細節豐富的畫面。
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