Intel放棄157nm光刻技術
發布時間:2008/6/5 0:00:00 訪問次數:691
5月23日，intel宣布第二次重新調整自已光刻的發展策略，將放棄
采用157nm的光刻機。這一消息的公布，將極大地影響半導體設備制造
業及材料供應商。intel最初將希望寄托在發展157nm的掃描型光刻機，
目的是在2007年時用在45nm結點工藝中。此次，intel沒有將157nm光刻
機作為發展32nm結點的理由，其中最主要原因是157nm的鏡頭材料，氟
化鈣太貴，缺乏供應商。相反，intel卻試圖擴展193nm光刻機的功能到
下一代微處理器的發展中，包括90nm，65nm及45nm結點。
intel表示仍堅持每兩年一個循環，來實現公司的工藝技術發展目
標.但是在實現45nm結點中，intel改變了現有的工藝路線。
目前，intel有兩家光刻機供應商，asml及nikon。而且在發展65nm
結點中，intel已經分別為來自asml，nikon及canon三家的光刻機進行
了設備的評估。
原先，intel的光刻工藝發展規劃是在2003年用193nm光刻機，解決
90nm結點，而在2005年用157nm光刻機解決65nm結點，最后在2007年用
極紫外光線(euv)解決45nm結點。
在此次調整中，intel表示90nm結點沒有改變，而由于技術方面等
原因，將放棄157nm光刻技術的開發，而試圖擴展現有的193nm技術至65nm
結點中。同時表示，將可能把現有的193nm技術，擴展用在45nm結點中，
但是對于euv技術已經明確表示，由于技術方面的原因將推遲發展。
除此之外，還有其它原因，如157nm的光刻膠及pellicle仍有困難。
同時研究者發現鏡頭材料其固有的雙折射(birefringence)問題，至使
鏡頭材料達不到很高的水平，將嚴重地影響到鏡頭的設計及光刻圖像的
質量。
要想采用現有的193nm光刻技術來實現低至65nm及45nm結點，肯定
尚有許多的問題。盡管目前許多供應商正在發展高數值孔徑(na)的先進
193nm光刻機，但是，集成電路制造商必須在發展分辨率增強技術(ret)
等方面與之配合，如光學鄰近效應校正(opc)技術，相移掩模(psm)技術
及離軸照明(oai)技術等。
采用157nm的光刻機。這一消息的公布，將極大地影響半導體設備制造
業及材料供應商。intel最初將希望寄托在發展157nm的掃描型光刻機，
目的是在2007年時用在45nm結點工藝中。此次，intel沒有將157nm光刻
機作為發展32nm結點的理由，其中最主要原因是157nm的鏡頭材料，氟
化鈣太貴，缺乏供應商。相反，intel卻試圖擴展193nm光刻機的功能到
下一代微處理器的發展中，包括90nm，65nm及45nm結點。
intel表示仍堅持每兩年一個循環，來實現公司的工藝技術發展目
標.但是在實現45nm結點中，intel改變了現有的工藝路線。
目前，intel有兩家光刻機供應商，asml及nikon。而且在發展65nm
結點中，intel已經分別為來自asml，nikon及canon三家的光刻機進行
了設備的評估。
原先，intel的光刻工藝發展規劃是在2003年用193nm光刻機，解決
90nm結點，而在2005年用157nm光刻機解決65nm結點，最后在2007年用
極紫外光線(euv)解決45nm結點。
在此次調整中，intel表示90nm結點沒有改變，而由于技術方面等
原因，將放棄157nm光刻技術的開發，而試圖擴展現有的193nm技術至65nm
結點中。同時表示，將可能把現有的193nm技術，擴展用在45nm結點中，
但是對于euv技術已經明確表示，由于技術方面的原因將推遲發展。
除此之外，還有其它原因，如157nm的光刻膠及pellicle仍有困難。
同時研究者發現鏡頭材料其固有的雙折射(birefringence)問題，至使
鏡頭材料達不到很高的水平，將嚴重地影響到鏡頭的設計及光刻圖像的
質量。
要想采用現有的193nm光刻技術來實現低至65nm及45nm結點，肯定
尚有許多的問題。盡管目前許多供應商正在發展高數值孔徑(na)的先進
193nm光刻機，但是，集成電路制造商必須在發展分辨率增強技術(ret)
等方面與之配合，如光學鄰近效應校正(opc)技術，相移掩模(psm)技術
及離軸照明(oai)技術等。
5月23日，intel宣布第二次重新調整自已光刻的發展策略，將放棄
采用157nm的光刻機。這一消息的公布，將極大地影響半導體設備制造
業及材料供應商。intel最初將希望寄托在發展157nm的掃描型光刻機，
目的是在2007年時用在45nm結點工藝中。此次，intel沒有將157nm光刻
機作為發展32nm結點的理由，其中最主要原因是157nm的鏡頭材料，氟
化鈣太貴，缺乏供應商。相反，intel卻試圖擴展193nm光刻機的功能到
下一代微處理器的發展中，包括90nm，65nm及45nm結點。
intel表示仍堅持每兩年一個循環，來實現公司的工藝技術發展目
標.但是在實現45nm結點中，intel改變了現有的工藝路線。
目前，intel有兩家光刻機供應商，asml及nikon。而且在發展65nm
結點中，intel已經分別為來自asml，nikon及canon三家的光刻機進行
了設備的評估。
原先，intel的光刻工藝發展規劃是在2003年用193nm光刻機，解決
90nm結點，而在2005年用157nm光刻機解決65nm結點，最后在2007年用
極紫外光線(euv)解決45nm結點。
在此次調整中，intel表示90nm結點沒有改變，而由于技術方面等
原因，將放棄157nm光刻技術的開發，而試圖擴展現有的193nm技術至65nm
結點中。同時表示，將可能把現有的193nm技術，擴展用在45nm結點中，
但是對于euv技術已經明確表示，由于技術方面的原因將推遲發展。
除此之外，還有其它原因，如157nm的光刻膠及pellicle仍有困難。
同時研究者發現鏡頭材料其固有的雙折射(birefringence)問題，至使
鏡頭材料達不到很高的水平，將嚴重地影響到鏡頭的設計及光刻圖像的
質量。
要想采用現有的193nm光刻技術來實現低至65nm及45nm結點，肯定
尚有許多的問題。盡管目前許多供應商正在發展高數值孔徑(na)的先進
193nm光刻機，但是，集成電路制造商必須在發展分辨率增強技術(ret)
等方面與之配合，如光學鄰近效應校正(opc)技術，相移掩模(psm)技術
及離軸照明(oai)技術等。
采用157nm的光刻機。這一消息的公布，將極大地影響半導體設備制造
業及材料供應商。intel最初將希望寄托在發展157nm的掃描型光刻機，
目的是在2007年時用在45nm結點工藝中。此次，intel沒有將157nm光刻
機作為發展32nm結點的理由，其中最主要原因是157nm的鏡頭材料，氟
化鈣太貴，缺乏供應商。相反，intel卻試圖擴展193nm光刻機的功能到
下一代微處理器的發展中，包括90nm，65nm及45nm結點。
intel表示仍堅持每兩年一個循環，來實現公司的工藝技術發展目
標.但是在實現45nm結點中，intel改變了現有的工藝路線。
目前，intel有兩家光刻機供應商，asml及nikon。而且在發展65nm
結點中，intel已經分別為來自asml，nikon及canon三家的光刻機進行
了設備的評估。
原先，intel的光刻工藝發展規劃是在2003年用193nm光刻機，解決
90nm結點，而在2005年用157nm光刻機解決65nm結點，最后在2007年用
極紫外光線(euv)解決45nm結點。
在此次調整中，intel表示90nm結點沒有改變，而由于技術方面等
原因，將放棄157nm光刻技術的開發，而試圖擴展現有的193nm技術至65nm
結點中。同時表示，將可能把現有的193nm技術，擴展用在45nm結點中，
但是對于euv技術已經明確表示，由于技術方面的原因將推遲發展。
除此之外，還有其它原因，如157nm的光刻膠及pellicle仍有困難。
同時研究者發現鏡頭材料其固有的雙折射(birefringence)問題，至使
鏡頭材料達不到很高的水平，將嚴重地影響到鏡頭的設計及光刻圖像的
質量。
要想采用現有的193nm光刻技術來實現低至65nm及45nm結點，肯定
尚有許多的問題。盡管目前許多供應商正在發展高數值孔徑(na)的先進
193nm光刻機，但是，集成電路制造商必須在發展分辨率增強技術(ret)
等方面與之配合，如光學鄰近效應校正(opc)技術，相移掩模(psm)技術
及離軸照明(oai)技術等。
上一篇：礦物油型真空泵油的發展概況
上一篇：晶胞問答ABCD
相關技術資料- 12-2全新第三代人工神經網絡技術參數與應用
- 12-2CMOS有源像素型固態圖像傳感器
- 12-2第四代低功耗藍牙芯片KW 47應用詳解
- 12-2集成兩路600V半橋高壓MOS驅動器
- 12-2功率驅動芯片（Power Driver ICs）
- 12-2首款車規級UWB芯片結構技術設計參數研究
- 11-30iCAN-4017 AI功能模塊工作原理與應用解析
- 11-30創新性和前瞻性模擬和混合信號平臺Treo
- 11-30示波器探頭常見類型及使用技巧
- 11-30高端邏輯芯片新CoWoS封裝技術
- 11-30汽車電子半導體器件市場發展前景分析
- 11-30全球汽車微控制器（MCU）市場需求及發展趨勢
- 相關IC型號
公網安備44030402000607
