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ST發布單向Transil瞬變電壓抑制二極管SMM4F系列

發布時間:2008/6/5 0:00:00 訪問次數:516

  意法半導體(st)推出smm4f系列單向transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產品在三個主要方面提高性能:在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。

  smm4f系列產品電涌防護能力達到400w 10/1000微秒,封裝尺寸緊湊,占板面積僅為3.8 x 1.9mm。smm4f二極管的尺寸小于現有的sma封裝的400w產品,防護性能更比現有的smf封裝200w電涌保護器件提高一倍,雖然后者的規格比smm4f二極管小10%。smm4f系列的低功耗性能杰出,泄漏電流僅為0.2微安的,使新產品成為電池供電設備或其它低耗電量應用的理想選擇。由于在85℃時最大泄漏電流為 1微安,smm4f系列產品同樣適用于電信設備的電涌防護應用。

  smm4f系列產品共有14款,關斷電壓在5v到33v之間。需要浪涌抑制二極管的大多數應用,如開關電源、消費電子產品、計算機和電信設備,都能在其中找到適合的產品。每款產品的最高額定結溫均為175℃,與額定結溫通常只有150℃的傳統產品相比,smm4f系列產品的安全系數更高。

  st定義smm4f系列產品其它參數特性,為設計工程師在各種工作條件下精確預測應用特性提供可靠數據。除10/1000微秒參數外,st還提供8/20微秒的最大鉗位電壓和峰值功率電流,使設計工程師能夠確認防護應用達到業界廣泛接受的iec61000-4-5標準。st為設計工程師提供有關動態電阻、擊穿電壓隨溫度變化、泄漏電流對結溫特性的精確數據。st提供這種信息使設計工程師能夠按照實際涌流和結溫的比值精確計算鉗位電壓。

  smm4f系列產品采用rohs標準無汞jedec注冊stmite封裝,樣片已批量上市。



  意法半導體(st)推出smm4f系列單向transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產品在三個主要方面提高性能:在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。

  smm4f系列產品電涌防護能力達到400w 10/1000微秒,封裝尺寸緊湊,占板面積僅為3.8 x 1.9mm。smm4f二極管的尺寸小于現有的sma封裝的400w產品,防護性能更比現有的smf封裝200w電涌保護器件提高一倍,雖然后者的規格比smm4f二極管小10%。smm4f系列的低功耗性能杰出,泄漏電流僅為0.2微安的,使新產品成為電池供電設備或其它低耗電量應用的理想選擇。由于在85℃時最大泄漏電流為 1微安,smm4f系列產品同樣適用于電信設備的電涌防護應用。

  smm4f系列產品共有14款,關斷電壓在5v到33v之間。需要浪涌抑制二極管的大多數應用,如開關電源、消費電子產品、計算機和電信設備,都能在其中找到適合的產品。每款產品的最高額定結溫均為175℃,與額定結溫通常只有150℃的傳統產品相比,smm4f系列產品的安全系數更高。

  st定義smm4f系列產品其它參數特性,為設計工程師在各種工作條件下精確預測應用特性提供可靠數據。除10/1000微秒參數外,st還提供8/20微秒的最大鉗位電壓和峰值功率電流,使設計工程師能夠確認防護應用達到業界廣泛接受的iec61000-4-5標準。st為設計工程師提供有關動態電阻、擊穿電壓隨溫度變化、泄漏電流對結溫特性的精確數據。st提供這種信息使設計工程師能夠按照實際涌流和結溫的比值精確計算鉗位電壓。

  smm4f系列產品采用rohs標準無汞jedec注冊stmite封裝,樣片已批量上市。



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