國際整流器公司 (international rectifier，簡稱ir)推出專為筆記本電腦、服務器cpu電源、圖形，以及內存穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30v directfet mosfet系列。

　　新器件系列結合ir最新的30v hexfet功率mosfet硅技術與先進的directfet封裝技術，比標準so-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30v器件的導通電阻 (rds(on)) 非常低，同時把柵極電荷 (qg) 和柵漏極電荷 (qgd) 減至最少，并以極低的封裝電感減少了導通及開關損耗。

　　ir亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“憑借我們基準的功率mosfet硅器件和directfet封裝，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個負載的效率和散熱性能。這也有助于實現每相位25a的操作，同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積。”

　　irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉向使用新器件。

　　irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設計更具靈活性。

　　新器件符合電子產品有害物質限制規定 (rohs)，并已接受批量訂單。