傳統射頻放大器使用分立晶體管有源器件，主要原因是器件價格低廉。而隨著運放性能的提高和批量應用的推動，射頻放大器采用運放已成大勢所趨。相對于分立晶體管，高速運放確實有其長處：首先，前者構成的放大器，其增益和帶寬與晶體管的偏流和工作點關系很大，調整起來相對困難；而運放的增益是不受偏置影響的。其次，運放還能減少工作溫度范圍內的參數漂移，使工作更可靠和穩定。

　　眾所周知，運放又可分為電壓反饋式（ｖｆｂ）和電流反饋式（ｃｆｂ）兩種。在實際應用中，大量使用的是ｖｆｂ運放，但在射頻放大器應用中，ｃｆｂ運放具有更出色的性能。ｖｆｂ運放的增益一帶寬積是恒定的，增益受到帶寬的限制；ｃｆｂ運放在接近最高頻率處仍有較高的增益。例如，ｖｆｂ運放ｔｈｓ４００１開環帶寬（－３ｄｂ）為２７０ｍｈｚ，增益為１００（２０ｄｂ）時可用帶寬僅為１０ｍｈｚ；而ｃｆｂ運放ｔｈｓ３００１開環帶寬（－３ｄｂ）為４２０ｍｈｚ，增益１００時可用帶寬可達１５０ｍｈｚ。

　　當然，射頻設計者還要了解ｃｆｂ運放的一些特點：

　　·放大器用運放的內部構造有所不同，但構成放大器的基本拓撲沒有改變。

　　·ｃｆｂ運放數據表推薦的反饋電阻ｒｆ值應嚴格遵守，增益應用ｒｇ來調整。

　　·反饋環中不能有電容存在。

　　放大器的基本拓撲和參數

　　ｃｆｂ運放射頻放大器的基本拓撲仍是反饋放大器結構，有同相放大器和反相放大器兩種形式。另一方面，對射頻電路而言，要特別關注輸入端與輸出端的阻抗匹配問題，系統常用５０ω電纜連接，由于運放的輸入阻抗高，因而輸入端并接一個５０ω電阻；在輸出端，運放輸出阻抗低，故而串接了一個５０ω電阻。這樣，同相放大器就如圖１所示。

　　射頻電路性能通常用４個散射（ｓ）參數來表征。術語“散射”隱含著損耗的意思。反射，即散射參數ｓ１１與ｓ１２會減少有用的信號，反向傳輸ｓ１２從負載處返回輸出功率，只有正傳輸ｓ２１是有用的散射參數。設計射頻電路就是要減少ｓ１１、ｓ２２與ｓ１２而提高ｓ２１。射頻放大器小信號交流參數可從ｓ參數推得，兩者的關系見表１，這些指標是頻率依賴的。

　　輸入與輸出電壓駐波比（ｖｓｗｒ）是個比值，因而是一個無單位量，它是輸入、輸出阻抗與源阻抗、負載阻抗匹配的度量，為了避免反射應盡可能地匹配。ｖｓｗｒ定義為：

　　ｖｓｗｒ＝ｚ（ｉ／ｏ）／ｚｓ或ｚｓ／ｚ（ｉ／ｏ）

　　理想的ｖｓｗｒ等于１：１，然而典型的ｖｓｗｒ在工作頻率范圍內不會好于１．５：１。運放的輸入、輸出阻抗是設計者選擇的外部元件確定的，因此運放的數據表并未對ｖｓｗｒ作出規定。回波損耗—該值與ｖｓｗｒ的關系為：

　　回波損耗　＝２０ｌｏｇ（ｖｓｗｒ＋１）／（ｖｓｗｒ－１）＝１０ｌｏｇ（ｓ１１）２（輸入）＝１０ｌｏｇ（ｓ２２）２（輸出）

　　由于輸出阻抗在射頻處不是與ｚｌ完全匹配的，它隨環增益減少而逐漸增大，因而ｒｏ并聯了一個電容進行補償。

　　正向傳輸ｓ２１是由輸入電阻ｒｇ和反饋電阻ｒｆ確定的，對同相型運放ｓ２１表示為：

　　ｓ２１＝ａｌ＝１／２（１＋ｒｆ／ｒｇ）

　　注意，輸出端增加了一個串聯電阻，電壓分壓使增益降低了一半。對射頻放大，常用功率增益來表示：

　　ｐｏ（ｄｂｍ）＝１０ｌｏｇ（絕對功率／０．００１ｗ）

　　ｄｂｍ＝ｄｂｖ＋１３（５０ω終端電阻）

　　反向傳輸ｓ１２表示輸入與輸出的隔離度，ｃｆｂ射頻運放的隔離度相當不錯，尤其是同相型放大器，它的反饋連接在反相端，使隔離更佳。

　　相位線性度—設計者常常關心ｒｆ電路的相位響應，ｃｆｂ放大器的相位線性度比ｖｆｂ型放大器好，如：

　　ｖｆｂ　ｔｈｓ４００１的差分相移為０．１５°

　　ｃｆｂ　ｔｈｓ３００１的差分相移為０．０２°

　　頻率響應平坦度——ｃｆｂ放大器可通過微調電阻（見圖１倒相端串聯的電阻）來調整頻響的平坦度而不會影響正向增益。再加上微調電阻后，ｒｆ和ｒｇ值要相應地減少，但它們的比值保持不變，因而增益也保持不變。

　　－１ｄｂ壓縮點—－１ｄｂ壓縮點定義為：在固定頻率下，放大器實際功率比預期值少１ｄｂ，換句話說，放大器增益比低功率下降低了１ｄｂ。－１ｄｂ壓縮點是射頻設計者對電壓軌值的一種表述。射頻設計者更關注增益的最大化，輕微的嵌位是允許的，只要產生的諧波在相關法規的范圍內，于是確定了－１ｄｂ壓縮點。

　　標準交流耦合ｒｆ放大器在工作頻率范圍內顯示出相對恒定的－１ｄｂ壓縮點。在低頻下，增加固定頻率的功率最終會將輸出驅動至軌值，即ｖｏｍ指標；在高頻下，運放會受到轉換速率的限制，由于輸出使用了