uv eprom的單元結構如圖所示。其基本結構與在下一章中說明的閃速存儲器相同。uv-eprom的存儲單元是由mosfet（金屬氧化物半導體場效應晶體管）構成的，在它的控制柵和n溝道間有一個稱為浮置柵的特殊柵極，這是uv-eprom單元結構的主要特征。

　　圖 uv-eprom的單元結構

　　由于浮置柵利用氧化膜使柵極與基板絕緣，使存儲于此處的電荷不能被輕易釋放，從而達到持續保存記憶的目的。與閃速存儲器相同，通過浮置柵中是否存儲電荷，利用fet（場效應晶體管）的閾值電壓的變化，進行高電平與低電平的判斷。一般地講，uv一eprom在擦除狀態（浮置柵中未存儲電荷的狀態）時，讀出“高電平”；而在存儲電荷狀態時，讀出“低電平”。

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